[發明專利]影像感測器結構有效
| 申請號: | 201611235711.2 | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN107180839B | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發明(設計)人: | 謝錦全;蕭玉焜;王唯科;李立凱 | 申請(專利權)人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 周濱;章侃銥 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 感測器 結構 | ||
1.一種影像感測器結構,包括:
一基板,具有多個光電轉換單元,形成于該基板中;
多個彩色濾光片,形成于該基板上,其中所述多個彩色濾光片分為紅色濾光片、綠色濾光片以及藍色濾光片;
多個微透鏡,對應形成于所述多個彩色濾光片上;
一透明材料層,形成于所述多個微透鏡上;
一第一濾光片,阻擋波長介于700nm~800nm、700nm~900nm、700nm~1,000nm或800nm~900nm的紅外光,形成于該透明材料層上;
一第二濾光片,允許波長介于400nm~700nm的可見光穿透,形成于該第一濾光片上,其中該第二濾光片由具有高、低折射率交錯組成的多層膜所構成;以及
一透鏡模塊,形成于該第二濾光片上。
2.如權利要求1所述的影像感測器結構,其中該透明材料層的折射率低于該微透鏡與該第一濾光片的折射率,該透明材料層的折射率低于1.3。
3.一種影像感測器結構,包括:
一基板,具有多個光電轉換單元,形成于該基板中;
多個彩色濾光片,形成于該基板上,其中所述多個彩色濾光片分為多個紅色濾光片、多個綠色濾光片、多個藍色濾光片以及多個紅外光濾光片(infrared pass filters);
多個微透鏡,對應形成于所述多個彩色濾光片上;
一第一透明材料層,形成于所述多個微透鏡上;
一第一濾光片,阻擋紅外光,形成于部分的該第一透明材料層上,露出對應所述多個紅外光濾光片的部分的該第一透明材料層;
一第二濾光片,允許可見光穿透,形成于該第一濾光片上,露出對應所述多個紅外光濾光片的該部分的該第一透明材料層;
一第二透明材料層,形成于對應所述多個紅外光濾光片的該部分的該第一透明材料層上;以及
一透鏡模塊,形成于該第二濾光片與該第二透明材料層上;
其中該第一透明材料層的折射率低于該微透鏡與該第一濾光片的折射率,該第一透明材料層的折射率低于1.3,
其中該第一濾光片阻擋波長介于700nm~800nm、700nm~900nm、700nm~1,000nm或800nm~900nm的紅外光,
其中該第二濾光片由具有高、低折射率交錯組成的多層膜所構成,該第二濾光片允許波長介于400nm~700nm的可見光穿透。
4.一種影像感測器結構,包括:
一基板,具有多個光電轉換單元,形成于該基板中;
多個彩色濾光片,形成于該基板上,其中所述多個彩色濾光片分為多個紅色濾光片、多個綠色濾光片、多個藍色濾光片以及多個紅外光濾光片;
多個微透鏡,對應形成于所述多個彩色濾光片上;
一透明材料層,形成于所述多個微透鏡上;
一第一濾光片,阻擋紅外光,形成于該透明材料層上,其中該第一濾光片阻擋具有一第一波長范圍的紅外光;
一第二濾光片,允許可見光與紅外光穿透,形成于該第一濾光片上,其中該第二濾光片允許具有一第二波長范圍的可見光與紅外光穿透,其中該第二波長范圍的差值大于該第一波長范圍的差值;以及
一透鏡模塊,形成于該第二濾光片上。
5.如權利要求4所述的影像感測器結構,其中該透明材料層的折射率低于該微透鏡與該第一濾光片的折射率,該透明材料層的折射率低于1.3,
其中當該第一波長范圍介于700nm~800nm時,該第二波長范圍介于400nm~900nm,或是當該第一波長范圍介于700nm~900nm時,該第二波長范圍介于400nm~1,000nm,
其中該第二濾光片由具有高、低折射率交錯組成的多層膜所構成。
6.如權利要求4所述的影像感測器結構,還包括一第三濾光片,阻擋紅外光,形成于所述多個紅色濾光片、所述多個綠色濾光片、所述多個藍色濾光片與該基板之間,或形成于所述多個紅色濾光片、所述多個綠色濾光片、所述多個藍色濾光片與所述多個微透鏡之間。
7.如權利要求6所述的影像感測器結構,其中該第三濾光片阻擋波長為850nm或940nm的紅外光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





