[發(fā)明專利]消除微球表面靜電的裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611235616.2 | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN106714439B | 公開(公告)日: | 2023-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張玲;陳果;何小珊;何智兵;王濤;劉艷松;李俊 | 申請(專利權(quán))人: | 中國工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號: | H05H1/46 | 分類號: | H05H1/46;H05F3/04 |
| 代理公司: | 成都虹橋?qū)@聞?wù)所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 楊長青 |
| 地址: | 621900*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 消除 表面 靜電 裝置 方法 | ||
1.消除微球表面靜電的裝置,其特征在于:包括石英諧振腔(1)以及盤繞于所述石英諧振腔(1)外側(cè)的天線(10),所述天線(10)為盤香型且與射頻匹配網(wǎng)絡(luò)(11)連接;所述石英諧振腔(1)外側(cè)安裝真空測量的電阻單元(3)和電離單元(4),以及真空抽氣口(12)和進(jìn)氣口(6),石英諧振腔(1)上還配置接地位(7)。
2.如權(quán)利要求1所述的消除微球表面靜電的裝置,其特征在于:所述石英諧振腔(1)包括圓柱狀的腔壁以及連接于腔壁兩端的上密封蓋(2)和下密封蓋(5),電阻單元(3)、電離單元(4)和進(jìn)氣口(6)安裝于上密封蓋(2),接地位(7)和真空抽氣口(12)設(shè)置于下密封蓋(5)。
3.如權(quán)利要求1所述的消除微球表面靜電的裝置,其特征在于:所述真空抽氣口(12)上還設(shè)置插板閥(13)。
4.如權(quán)利要求1所述的消除微球表面靜電的裝置,其特征在于:所述天線(10)的中心位于石英諧振腔(1)的軸線上。
5.如權(quán)利要求1所述的消除微球表面靜電的裝置,其特征在于:所述石英諧振腔(1)內(nèi)還設(shè)置樣品支架(8),樣品支架(8)上設(shè)置托盤(9)。
6.消除微球表面靜電的方法,其特征在于:通過上述權(quán)利要求1至5任一權(quán)利要求所述消除微球表面靜電的裝置來消除微球表面靜電,包括以下步驟:
步驟一、配置微球樣品于托盤(9)中,將托盤(9)置于石英諧振腔(1)內(nèi);
步驟二、對石英諧振腔(1)進(jìn)行抽真空,再向石英諧振腔(1)內(nèi)通入放電氣體,所述放電氣體不會與待處理的微球樣品發(fā)生化學(xué)反應(yīng),且放電氣體離解后不產(chǎn)生與待處理的微球樣品發(fā)生化學(xué)反應(yīng);
步驟三、開啟射頻電源,通過射頻匹配網(wǎng)絡(luò)(11)向天線(10)提供射頻信號,根據(jù)所選放電氣體產(chǎn)生的等離子體刻蝕效應(yīng)確定射頻信號施加的時長;石英諧振腔(1)內(nèi)產(chǎn)生等離子體,微球樣品暴露在等離子體環(huán)境中,等離子體中的離子、電子分別與待處理的微球表面負(fù)電荷、正電荷相中和;
步驟四、重復(fù)上述步驟三,直至消除微球表面靜電。
7.如權(quán)利要求6所述的消除微球表面靜電的方法,其特征在于:步驟二中,對石英諧振腔(1)進(jìn)行抽真空,使石英諧振腔(1)的氣壓低于1×10-3Pa;再向石英諧振腔(1)內(nèi)通入放電氣體,使石英諧振腔(1)的氣壓為20-40Pa。
8.如權(quán)利要求6所述的消除微球表面靜電的方法,其特征在于:步驟三中,所述放電氣體為氫氣或惰性氣體。
9.如權(quán)利要求6所述的消除微球表面靜電的方法,其特征在于:步驟三中,所述的射頻信號通過射頻發(fā)生源產(chǎn)生,其頻率為13.56MHz、27.12MHz或40.68MHz。
10.如權(quán)利要求6所述的消除微球表面靜電的方法,其特征在于:步驟三中,射頻信號施加的時長為不超過60s。
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