[發(fā)明專利]一種防偽貼紙及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611235607.3 | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN106782040B | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳紅梅;黃為民 | 申請(專利權(quán))人: | 四川師范大學(xué) |
| 主分類號: | G09F3/02 | 分類號: | G09F3/02 |
| 代理公司: | 51223 成都華風(fēng)專利事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 徐豐;杜朗宇<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址: | 610068 *** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 防偽 貼紙 及其 制備 方法 | ||
1.一種防偽貼紙:其特征在于:所述防偽貼紙自下而上由粘膠層和防偽信息層組成,其中所述防偽信息層為在基材層上印刷防偽全息圖案或/和二維碼,所述基材層為經(jīng)過單向或雙向預(yù)拉伸的熱致形狀記憶聚合物,所述基材層或防偽信息層上有通過刻刀刻劃的劃痕或激光切割的刻痕,所述粘膠層的熱熔溫度大于或等于所述基材層的形狀回復(fù)溫度,所述單向或雙向預(yù)拉伸使所述基材層材料在其經(jīng)、緯方向上產(chǎn)生≥5%的拉伸量,所述單向或雙向預(yù)拉伸為冷拉伸或熱拉伸,所述劃/刻痕寬度為5~100μm、深度為所述防偽信息層厚度的40~100%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽貼紙,其特征在于:所述基材層的形狀回復(fù)溫度為50~120℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防偽貼紙,其特征在于:所述基材層為選自形狀記憶聚氯乙烯、形狀記憶聚對苯二甲酸乙二醇酯、形狀記憶聚丙烯、形狀記憶聚乙烯、形狀記憶聚氨酯、形狀記憶聚乙烯、形狀記憶聚苯乙烯-丁二烯共聚物、形狀記憶聚異戊二烯、形狀記憶乙烯-醋酸乙烯共聚物、形狀記憶ABS樹脂,形狀記憶聚甲基丙烯酸酯類中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽貼紙,其特征在于:所述粘膠層的熱熔溫度在50℃以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防偽貼紙,其特征在于:所述劃/刻痕的深度為0.002~0.3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的防偽貼紙的制備方法,其特征在于:包括以下四個分步驟:
A.基材拉伸
將所述熱致形狀記憶聚合物進(jìn)行單向或雙向預(yù)拉伸;
B.信息打印
通過激光全息印刷技術(shù)或/和防偽碼印刷技術(shù)在上級材料表面印刷防偽全息圖案或/和防偽碼;
C.劃/刻痕刻印
使用刻刀或/和激光切割技術(shù)在上級材料表面或背面刻印劃痕或/和切割刻痕;
D.復(fù)合
將所述粘膠層作為防偽貼紙的背面粘合材料與上級材料進(jìn)行復(fù)合;
其中所述上級材料為經(jīng)上一步驟完成后的材料,分步驟A為首先進(jìn)行的步驟,分步驟B、C、D可任意順序組合,且若B、C、D步驟中步驟D復(fù)合先進(jìn)行,此后B、C步驟均在上級材料表面進(jìn)行;
且:所述單向或雙向預(yù)拉伸使所述基材層材料在其經(jīng)、緯方向上產(chǎn)生≥5%的拉伸量,所述粘膠層的熱熔溫度大于或等于所述基材層的形狀回復(fù)溫度,所述基材層的形狀回復(fù)溫度為50~120℃;所述劃痕寬度為5~100μm、深度為所述防偽信息層厚度的40~100%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的防偽貼紙的制備方法,其特征在于:包括以下四個分步驟:
A. 信息打印
通過激光全息印刷技術(shù)或/和防偽碼印刷技術(shù)在所述熱致形狀記憶聚合物表面印刷防偽全息圖案或/和防偽碼;
B. 基材拉伸
將印刷有防偽全息圖案或/和防偽碼的熱致形狀記憶聚合物進(jìn)行單向或雙向預(yù)拉伸;
C.劃/刻痕刻印
使用刻刀或/和激光切割技術(shù)在上級材料表面或背面刻印劃痕或/和切割刻痕;
D.復(fù)合
將粘膠層作為防偽貼紙的背面粘合材料與上級材料進(jìn)行復(fù)合;
其中所述上級材料為經(jīng)上一步驟完成后的材料,分步驟A、B為首先進(jìn)行的步驟,分步驟C、D可任意順序組合,且若C、D步驟中步驟D復(fù)合先進(jìn)行,此后C步驟為在上級材料表面進(jìn)行;
且:所述單向或雙向預(yù)拉伸使所述基材層材料在其經(jīng)、緯方向上產(chǎn)生≥5%的拉伸量,所述粘膠層的熱熔溫度大于或等于所述基材層的形狀回復(fù)溫度,所述基材層的形狀回復(fù)溫度為50~120℃;所述劃痕寬度為5~100μm、深度為所述防偽信息層厚度的40~100%。
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