[發(fā)明專利]一種三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法及制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611235115.4 | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN106653947B | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 許軍;鐵劍銳;韓志剛;陳潔 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第十八研究所;天津恒電空間電源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315 | 代理人: | 劉昕 |
| 地址: | 300384 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈍化 砷化鎵 濕法腐蝕 子電池 劃片 制備 多結(jié)太陽電池 光電轉(zhuǎn)換效率 鈍化工藝 復合損失 光生電流 減反射膜 有效解決 側(cè)截面 后邊緣 介質(zhì)膜 沉積 蒸鍍 半成品 腐蝕 引入 | ||
1.一種三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征是包括對劃片后的半成品太陽電池進行以下步驟:
a.使用濃HCl對GaInP子電池邊緣進行濕法腐蝕鈍化;
b.使用酸性H2O2腐蝕液對Cap層及GaInAs子電池邊緣進行濕法腐蝕鈍化;
c.蒸鍍減反射膜同時對太陽電池的側(cè)截面進行介質(zhì)膜沉積鈍化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征在于:所述步驟a中的鈍化方法為將所述劃片后的半成品太陽電池浸入濃HCl中20-50s,然后經(jīng)去離子水多次沖洗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征在于:所述步驟b中的鈍化方法為將所述步驟a所得半成品太陽電池浸入酸性H2O2腐蝕液中1.5-2.0min。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征在于:所述酸性H2O2腐蝕液為C6H8O7、H2O與H2O2的混合溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征在于:所述C6H8O7、H2O與H2O2的混合溶液中C6H8O7:H2O:H2O2的質(zhì)量比為3:3:1-8:8:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征在于:所述步驟c為蒸鍍Ti2O3/Al2O3雙層減反射膜,使介質(zhì)膜蒸汽沉積在太陽電池的受光面同時在劃開的太陽電池單體側(cè)截面也形成有效的沉積,所述雙層減反射膜厚度為100nm-150nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征在于:還包括在所述步驟a之前進行步驟a1,所述步驟a1為清洗所述劃片后的半成品太陽電池表面的可溶性油污、部分金屬離子和氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征在于:所述步驟a1為使用乙醇、NaOH溶液和HCl溶液中的一種或多種對所述劃片后的半成品太陽電池表面進行清洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的三結(jié)砷化鎵太陽電池鈍化方法,其特征在于:所述NaOH溶液為5%NaOH去離子水溶液,所述HCl溶液為H2O:HCl體積比為2:1的溶液。
10.一種三結(jié)砷化鎵太陽電池的制備方法,其特征是包括以下步驟:
1).外延;
2).光刻;
3).上電極蒸鍍;
4).下電極蒸鍍;
5).燒結(jié);
6).劃片;
7).對由步驟6)得到的太陽電池半成品進行鈍化,所述鈍化采用如權(quán)利要求1-9任一所述的鈍化方法。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國電子科技集團公司第十八研究所;天津恒電空間電源有限公司,未經(jīng)中國電子科技集團公司第十八研究所;天津恒電空間電源有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611235115.4/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





