[發明專利]固體攝像器件和電子裝置有效
| 申請號: | 201611235106.5 | 申請日: | 2011-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN107104116B | 公開(公告)日: | 2019-09-13 |
| 發明(設計)人: | 小林正治;工藤義治;佐野拓也 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/225;H04N5/369;H04N5/374 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳睆;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 固體 攝像 器件 電子 裝置 | ||
1.一種固體攝像器件,其包括:
像素區域,所述像素區域形成于第一基板的光入射側,且在所述像素區域中布置有多個像素,各像素包括光電轉換單元和多個像素晶體管;
電路單元,所述電路單元形成于第二基板中,并位于所述第一基板中的所述多個像素之中的至少一個像素的下方,所述電路單元包括有源元件;
第一多層布線層,所述第一多層布線層包括具有第一布線的第一布線層和具有第二布線的第二布線層;和
第二多層布線層,所述第二多層布線層形成在所述第二基板的一側,其中,所述第二多層布線層包括具有第三布線的第三布線層和具有第四布線的第四布線層,且其中,所述第一基板與所述第二基板是堆疊的;
其中,
所述第一布線位于所述第二布線的上方,
所述第一多層布線層被配置在所述像素區域與所述電路單元之間,且
在第一方向上延伸的所述第一布線與在所述第一方向上延伸的所述第二布線重疊,以遮蔽從所述第二基板中的所述有源元件出射的光使其無法入射到所述光電轉換單元上。
2.根據權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述第一布線和所述第二布線均連接至至少一個像素。
3.根據權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述第一布線和所述第二布線均包括鎢(W)、銅(Cu)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)和/或碳(C)中的至少一者。
4.根據權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述第一布線和所述第二布線均對光進行反射和散射。
5.根據權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述第一布線與所述第二布線重疊的第一距離大于第二距離,其中,所述第二距離是所述第一布線與所述第二布線之間的距離。
6.根據權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述固體攝像器件是背側照射型固體攝像器件。
7.根據權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述像素區域包括多個第一晶體管。
8.根據權利要求7所述的固體攝像器件,其中,所述電路單元包括多個第二晶體管。
9.根據權利要求1所述的固體攝像器件,其中,所述第一布線的至少一部分和所述第二布線的至少一部分被配置在所述第二基板中的具有發光能力的一個或多個所述有源元件的上方。
10.根據權利要求8所述的固體攝像器件,其中,所述第一多層布線層和所述第二多層布線層被配置在所述多個第一晶體管與所述多個第二晶體管之間。
11.根據權利要求1所述的固體攝像器件,其中,在第二方向上延伸的所述第三布線與在所述第二方向上的所述第四布線重疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





