[發(fā)明專利]一種光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611234855.6
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106832172B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳少軍;班建峰;楊景晧;卓海濤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳大學(xué)
• 主分類號: C08G18/38
• 分類號: C08G18/38;C08G18/32;C08G18/10
• 代理公司: 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312
• 代理人: 王利彬

1.一種光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物，其特征在于，所述光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物由單體A、單體B及單體C聚合而成；

其中，單體A的結(jié)構(gòu)式為單體B包括脂肪族二異氰酸酯中的至少一種，單體C包括N-甲基二乙醇胺，N-甲基二甲醇胺中的至少一種；

所述形狀記憶聚合物的結(jié)構(gòu)式為：n≥10,m≥10。

2.如權(quán)利要求1所述的光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物，其特征在于，單體A的結(jié)構(gòu)式為單體B為六亞甲基二異氰酸酯，單體C為N-甲基二乙醇胺；

所述形狀記憶聚合物的結(jié)構(gòu)式如下：

3.如權(quán)利要求2所述的光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物，其特征在于，所述單體A、單體B及單體C的質(zhì)量比為(10～20):(30～40):(40～60)。

4.如權(quán)利要求1所述的光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物，其特征在于，所述單體A中的羧基摩爾數(shù)a、單體B中的異氰酸酯基摩爾數(shù)b及單體C中的羥基摩爾數(shù)c滿足如下關(guān)系：

r＝b/(a+c)，r的取值范圍為0.95～1.05。

5.如權(quán)利要求1所述的光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物，其特征在于，所述光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物的玻璃轉(zhuǎn)化溫度為30～90℃。

6.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將單體A與單體B進(jìn)行聚合反應(yīng)，獲得含偶氮苯結(jié)構(gòu)單元的形狀記憶聚合物預(yù)聚體；

將單體C和單體B加入到所述形狀記憶聚合物預(yù)聚體中，獲得高分子量的形狀記憶聚合物。

7.如權(quán)利要求6所述的光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物的制備方法，其特征在于，所述單體A與單體B進(jìn)行聚合反應(yīng)的催化劑為二月桂酸二丁基錫。

8.如權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物的應(yīng)用，其特征在于，所述應(yīng)用為將所述光/熱分級響應(yīng)形狀記憶聚合物用于制備智能納米器件、智能藥物控釋劑或智能傳感器。