[發明專利]發光二極體晶片有效
| 申請號： | 201611234809.6 | 申請日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108258096B | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發明（設計）人： | 吳俊德;羅玉云 | 申請（專利權）人： | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/36 | 分類號： | H01L33/36;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 開曼群島大開曼島,大展館商業中心,奧林德道*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 二極體 晶片 | ||
1.一種發光二極體晶片，其特征在于，包括：
P型半導體層；
發光層；
N型半導體層，該發光層配置于該P型半導體層與該N型半導體層之間，該N型半導體層包括：
第一N型半導體子層；
第二N型半導體子層，其中該第一N型半導體子層的化學通式為摻雜硅的(AlzGa1-z)0.5In0.5P，該第二N型半導體子層的化學通式為摻雜硅的(AlaGa1-a)0.5In0.5P，其中0z≤1，且0a≤1；以及
歐姆接觸層，該歐姆接觸層為N型砷化鎵層，配置于該第一N型半導體子層與該第二N型半導體子層之間，該歐姆接觸層的禁帶小于該第一N型半導體子層的禁帶與該第二N型半導體子層的禁帶；以及
第一金屬電極，配置于該第一N型半導體子層上，其中該第一N型半導體子層的位于該第一金屬電極與該歐姆接觸層之間的區域中含有從該第一金屬電極擴散而來的金屬原子，以使該第一金屬電極與該歐姆接觸層形成歐姆接觸。
2.根據權利要求1所述的發光二極體晶片，其特征在于，該金屬原子在該區域的靠近該歐姆接觸層的一側的濃度小于該區域的遠離該歐姆接觸層的一側的濃度。
3.根據權利要求1所述的發光二極體晶片，其特征在于，該歐姆接觸層的厚度小于等于60納米。
4.根據權利要求1所述的發光二極體晶片，其特征在于，該N型半導體層還包括N型披覆層，配置于該第一N型半導體子層與該發光層之間，且該第一N型半導體子層配置于該N型披覆層與該歐姆接觸層之間。
5.根據權利要求1所述的發光二極體晶片，其特征在于，該N型半導體層還包括N型披覆層，配置于該第二N型半導體子層與該發光層之間，且該第二N型半導體子層配置于該N型披覆層與該歐姆接觸層之間。
6.根據權利要求1所述的發光二極體晶片，其特征在于，該發光二極體晶片的所有半導體層的總厚度除以該發光二極體晶片的最大寬度所得到的比值是落在0.2至1.5的范圍內。
7.根據權利要求1所述的發光二極體晶片，其特征在于，該P型半導體層的厚度除以該發光二極體晶片的所有半導體層的總厚度所得到的比值是落在0.05至0.2的范圍內。
8.根據權利要求7所述的發光二極體晶片，其特征在于，該P型半導體層包括P型披覆層和摻雜碳的P型接觸層，且該P型披覆層配置于該P型接觸層與該發光層之間。
9.根據權利要求1所述的發光二極體晶片，其特征在于，該第一N型半導體子層、該歐姆接觸層與該第二N型半導體子層皆含有從該第一金屬電極擴散而來的金屬原子。
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