[發明專利]一種低電壓納瓦量級全CMOS電流模式基準電壓源

有效

• 申請號: 201611234699.3
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106527559B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 段吉海;孔令寶;朱智勇;徐衛林;韋保林
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種低電壓納瓦量級全CMOS電流模式基準電壓源，包括啟動電路、I_PTATa基準電流源電路、I_PTATb基準電流源電路和溫度補償電路；

啟動電路連接到I_PTATa基準電流源電路和I_PTATb基準電流源電路，并在基準電壓源開啟時提供電流，使得基準電壓源擺脫簡并偏置點，進入正常工作狀態；

I_PTATa基準電流源電路產生一個偏置電流I_Pa，為溫度補償電路提供電流偏置；

I_PTATb基準電流源電路產生一個偏置電流I_Pb，為溫度補償電路提供電流偏置；

溫度補償電路將I_PTATa基準電流源電路和I_PTATb基準電流源電路所產生的與溫度成正比的偏置電流I_Pa和I_Pb分別以不同倍數后作差，得到一個與溫度無關的基準電流I_REF，并驅動溫度補償電路中MOS管得到一個不受電源電壓和溫度變化影響的輸出電壓；

其特征是，

上述溫度補償電路由MOS管M18-M26和電容C2組成；MOS管M18-M20的源極連接到電源VDD；MOS管M18的柵極形成溫度補償電路的偏置電流輸入端Ipa1，并接至I_PTATa基準電流源電路；MOS管M18的漏極和MOS管M21的源極相連；MOS管M19-M20的柵極相連，并連接到MOS管M19的漏極和MOS管M22的源極；MOS管M20的漏極和MOS管M23的源極相連；MOS管M21的柵極形成溫度補償電路的偏置電流輸入端Ipa2，并接至I_PTATa基準電流源電路；MOS管M22-M23的柵極相連，并連接到MOS管M21、M22、M26的漏極；MOS管M24-M25的柵極相連，并連接到MOS管M23-M24的漏極；MOS管M24的源極和MOS管M25的漏極相連，并連接到電容C2的上極板，作為溫度補償電路即整個基準電壓源的輸出端；MOS管M26的柵極形成偏置電流輸入端Ipb1，并接至I_PTATb基準電流源電路；MOS管M25-M26的源極和電容C2的下極板連接到地GND。

2.根據權利要求1所述的一種低電壓納瓦量級全CMOS電流模式基準電壓源，其特征在于：啟動電路由MOS管M1-M5和電容C1組成；

MOS管M1和MOS管M2的源極接電源VDD；MOS管M1-M5的柵極，MOS管M2的漏極，以及電容C1的上極板相連；MOS管M1和MOS管M5的漏極相連，并連接到MOS管M3和MOS管M4的源極；MOS管M3的漏極形成啟動電路的啟動輸出端set_Ipa，并接至I_PTATa基準電流源電路；MOS管M4的漏極形成啟動電路的啟動輸出端set_Ipb，并接至I_PTATb基準電流源電路；MOS管M5的源極和電容C1的下極板連接到地GND。