[發明專利]晶片封裝體及其制造方法

在審

• 申請號: 201611234243.7
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106935558A
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 龍順文;邱國峻;郭孟翰;黃銘杰;林錫堅;陳智綱;陳義彬
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/485;H01L21/56
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包含：

晶片，包含：

基底；

磊晶層，位于該基底上；

元件區，位于該磊晶層上；以及

導電墊，位于該元件區的一側并連接至該元件區，且該導電墊凸出于該磊晶層的側面；

絕緣層，位于該基底下并延伸覆蓋該磊晶層的該側面；以及

導電層，位于該絕緣層下并延伸接觸該導電墊，且該導電層與該磊晶層的該側面相隔第一距離。

2.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一距離大于6微米。

3.根據權利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一距離介于6至10微米之間。

4.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該磊晶層的厚度介于4至8微米之間。

5.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片還包含位于該基底與該磊晶層之間的反射層。

6.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該導電層與該反射層的側面相隔第二距離，且該第一距離等于或大于該第二距離。

7.根據權利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，該反射層的厚度介于1至2微米之間。

8.根據權利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含：

保護層，覆蓋該導電層，并具有開口暴露該導電層；以及

外部導電結構，位于該開口中，并接觸該導電層。

9.根據權利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片還包含：

感測元件，位于該元件區上。

10.根據權利要求9所述的晶片封裝體，其特征在于，還包含：

間隔層，環繞該感測元件；以及

透明基板，位于該間隔層上，且覆蓋該感測元件。

11.一種晶片封裝體的制造方法，其特征在于，包含：

提供晶圓，該晶圓包含：

基底；

磊晶層，位于該基底上；

元件區，位于該磊晶層上；以及

導電墊，位于該元件區的一側并連接至該元件區；

圖案化該基底；

以圖案化的該基底作為遮罩，移除部分的該磊晶層以使該導電墊凸出于該磊晶層的側面；

形成絕緣層至該基底下，且該絕緣層延伸覆蓋至該磊晶層的該側面與該導電墊；

形成缺口于該絕緣層中，以暴露該導電墊；以及

形成導電層于該絕緣層下，且該導電層延伸至該缺口中接觸該導電墊。

12.根據權利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該晶片還包含：

感測元件，位于該元件區上；以及

反射層，位于該基底與該磊晶層之間。

13.根據權利要求12所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，移除部分的該磊晶層的步驟還包含移除部分的該反射層以暴露該反射層的側面。

14.根據權利要求13所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該絕緣層還延伸覆蓋該反射層的該側面。

15.根據權利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，在形成該絕緣層至該基底下且該絕緣層延伸覆蓋至該磊晶層的該側面前，還包含側向蝕刻該磊晶層的該側面。

16.根據權利要求11所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，該晶圓還包含：

感測元件，位于該元件區上。

17.根據權利要求16所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：

形成環繞該感測元件的間隔層；以及

形成透明基板于該間隔層上，以覆蓋該感測元件。

18.根據權利要求17所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：

形成保護層于該導電層下；以及

形成開口于該保護層中，以暴露該導電層。

19.根據權利要求18所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：

形成外部導電結構于該開口中，以接觸該導電層。

20.根據權利要求19所述的晶片封裝體的制造方法，其特征在于，還包含：

沿該缺口切割該保護層、該導電層、該間隔層與該透明基板，以形成晶片封裝體。