[發(fā)明專利]一種利用MOSFET管內(nèi)阻實現(xiàn)輸出電流檢測的方法

有效

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• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106841764B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王詩太;袁嘉輝;莫沃倫;劉文俊
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞泰克威科技有限公司
• 主分類號: G01R19/25
• 分類號: G01R19/25
• 代理公司: 東莞市冠誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44272
• 代理人: 楊正坤

本發(fā)明公開了一種利用MOSFET管內(nèi)阻實現(xiàn)輸出電流檢測的方法，利用MOSFET管的內(nèi)阻作為輸出電流檢測功能，通過實際模擬相應(yīng)環(huán)境實驗，隨機獲取批量MOSEFET實驗數(shù)據(jù)；將采集到的實驗數(shù)據(jù)，通過單片機智能算法，結(jié)合外圍電路設(shè)計，自動檢測相應(yīng)環(huán)境的變化進行智能動態(tài)補嘗；從而確保電流檢測值的精度能滿足產(chǎn)品規(guī)格要求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路測試技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種利用MOSFET管內(nèi)阻實現(xiàn)輸出電流檢測的方法。

背景技術(shù)

目前，隨著移動消費類電子產(chǎn)品的普及，移動電源行業(yè)的發(fā)展也得到了快速的提升，移動電源的使用也逐漸成為生活中不可或缺的一部分，因此移動電源的電路設(shè)計上也隨著科技的進步而得到不斷的優(yōu)化，使其更加符合用戶的實際需求。

在已往的電路設(shè)計中，往往會采用取樣電阻的設(shè)計，進行電流的監(jiān)控，這種設(shè)計方式可以通過電阻產(chǎn)生的壓降，反饋給MCU(控制芯片)，精確的獲取電流數(shù)據(jù)，從而通過MCU的參數(shù)設(shè)定，設(shè)置相關(guān)的輸出過流保護參數(shù)，以及截止關(guān)機電流等參數(shù)，讓移動電源在使用中得到更好的安全保護以及更好的用戶體驗。

但是正因為采用這種設(shè)計方式，通過取樣電阻的壓降采集數(shù)據(jù)，從而會消耗部分輸出功率，并且產(chǎn)生熱量，這不僅會讓能量的傳輸?shù)貌坏礁玫睦茫耶a(chǎn)生的熱量過大時會直接影響產(chǎn)品的正常使用，大大地降低用戶體驗度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種利用MOSFET管內(nèi)阻實現(xiàn)輸出電流檢測的方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：一種利用MOSFET管內(nèi)阻實現(xiàn)輸出電流檢測的方法，包括：

內(nèi)置于移動電源的電路連接結(jié)構(gòu)，該電路連接結(jié)構(gòu)包括MCU處理器、電池、升壓IC、NTC熱敏電阻、MOSFET管和輸出接口，所述電池分別與所述MCU處理器、升壓IC電性連接，所述MCU處理器分別與所述升壓IC、NTC熱敏電阻和MOSFET管電性連接，所述輸出接口與所述升壓IC、MOSFET管電性連接；

以及基于該電路連接結(jié)構(gòu)的輸出電流檢測方案,包括以下步驟：

（A1）在移動電源向外輸出電流供電始時，電池端提供電源給MCU處理器，MCU處理器同時提供一個驅(qū)動電壓給升壓IC以及使MOSFET管處于導通輸出狀態(tài)；

（A2）MCU處理器內(nèi)置關(guān)于MOSFET管內(nèi)阻的浮動變化數(shù)據(jù)，包括數(shù)據(jù)一和數(shù)據(jù)二，所述數(shù)據(jù)一為MOSFET管內(nèi)阻在特定溫度及不同帶載電流的條件下與電池電壓的浮動變化數(shù)據(jù)；所述數(shù)據(jù)二為MOSFET管內(nèi)阻在不同環(huán)境溫度下與電池電壓的浮動變化數(shù)據(jù)；

（A3）在輸出的過程中，MCU處理器獲取電路連接結(jié)構(gòu)中MOSFET管驅(qū)動電壓的實際電壓值以及實際溫度值，通過讀取所述實際溫度值對應(yīng)所述浮動變化數(shù)據(jù)中的MOSFET管內(nèi)阻，根據(jù)輸出電流=實際電壓值/MOSFET管內(nèi)阻的公式進行計算，從而獲得實際通過MOSFET管的輸出電流值。

上述技術(shù)方案中，所述MOSFET管包括并聯(lián)的第一MOSFET管和第二MOSFET管，所述第一MOSFET管和第二MOSFET管的輸入端與所述輸出接口電性連接，所述第一MOSFET管和第二MOSFET管的輸出端接地，所述第一MOSFET管和第二MOSFET管的驅(qū)動端與所述MCU處理器電性連接；所述MCU處理器對輸出端的電壓進行取樣，當判斷輸出接口為小功率輸出時，將第一MOSFET管或第二MOSFET管關(guān)閉。

上述技術(shù)方案中，所述MCU處理器與所述第一MOSFET管的驅(qū)動端電性連接并提供驅(qū)動電壓PN1，所述MCU處理器與所述第二MOSFET管的驅(qū)動端電性連接并提供驅(qū)動電壓PN2；所述第一MOSFET管和第二MOSFET管的輸入端相連節(jié)點與所述MCU處理器的反饋采樣端電性連接。

上述技術(shù)方案中，所述實際溫度值為所述NTC熱敏電阻在PCBA板上反饋給所述MCU處理器所獲取。