[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201611233908.2
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN107093587B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 金井直之;堀元人;金子悟史
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;H01L21/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫昌浩;李盛泉

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第一半導體元件，其具有第一正面電極和第一保護環；

第二半導體元件，其具有第二正面電極和第二保護環；

基板，其具有一并設置有所述第一半導體元件和所述第二半導體元件的布線圖案；

第一引線，其與所述第一正面電極接合；

第二引線，其與所述第二正面電極接合；

第一樹脂層，其覆蓋所述第一保護環和所述第二保護環中的至少一個；以及

凝膠填充材料，其密封所述第一半導體元件和所述第二半導體元件、所述第一引線和所述第二引線、以及所述第一樹脂層，

所述第一樹脂層覆蓋所述布線圖案的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：

第二樹脂層，其覆蓋所述第一正面電極與所述第一引線的第一接合部，以及所述第二正面電極與所述第二引線的第二接合部中的至少一個接合部。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第二樹脂層的厚度比所述第一樹脂層的厚度大。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一樹脂層包括聚酰亞胺。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，所述聚酰亞胺的玻璃化轉變溫度為200℃以上。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一樹脂層的厚度為10μm～50μm。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，所述第二樹脂層的厚度為10μm～50μm。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述凝膠填充材料包括硅凝膠。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第一半導體元件為SiC半導體元件，

所述第二半導體元件為Si半導體元件或SiC半導體元件。

10.根據權利要求1～7中任一項記載的半導體裝置，其特征在于，所述半導體裝置還具備：

殼體，其在內部空間配設有所述第一半導體元件、所述第二半導體元件、所述基板、所述第一引線、第二引線和所述第一樹脂層，且在該內部空間填充有所述凝膠填充材料。

11.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

將具有第一正面電極和第一保護環的第一半導體元件安裝于基板的布線圖案上的步驟；

形成覆蓋所述第一保護環和所述布線圖案的至少一部分的第一樹脂層的步驟；

將第一引線接合到所述第一正面電極的步驟；

形成覆蓋所述第一正面電極與所述第一引線的第一接合部的第二樹脂層的步驟；以及

利用凝膠填充材料密封所述第一半導體元件、所述第一引線和所述第二樹脂層的步驟。

12.根據權利要求11所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二樹脂層的步驟中，以比所述第一樹脂層的厚度大的厚度形成所述第二樹脂層。

13.根據權利要求11或12所述的制造方法，其特征在于，還具備：形成覆蓋位于所述第一半導體元件的正面的邊緣部的所述第一保護環并與所述第二樹脂層一體或分開的第一樹脂層的步驟。

14.根據權利要求13所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一樹脂層的步驟中，在將第一引線接合到所述第一半導體元件的第一正面電極之前形成所述第一樹脂層。

15.根據權利要求13所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一樹脂層的步驟中，利用噴墨涂布裝置涂布覆蓋所述保護環的樹脂來形成所述第一樹脂層，

在形成所述第二樹脂層的步驟中，利用分配涂布裝置涂布覆蓋所述第一半導體元件的正面中的所述引線的接合部的樹脂以形成所述第二樹脂層。