[發(fā)明專利]一種摻雜碲化鎘薄膜電池及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611233866.2
• 申請(qǐng)日: 2016-12-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106784036A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬立云;彭壽;潘錦功;殷新建;蔣猛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都中建材光電材料有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 成都市集智匯華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)51237
• 代理人: 李華,溫黎娟

1.一種摻雜碲化鎘薄膜電池，其特征在于：所述薄膜電池以硼硅玻璃層為襯底，所述襯底上設(shè)置有外延疊層，所述外延疊層由下往上依次為前電極ITO層、窗口層、光吸收層、背接觸層、背電極層，所述窗口層為硫化銦薄膜層，所述光吸收層為摻銣碲化鎘復(fù)合薄膜層，所述背接觸層為摻銅碲化鋅復(fù)合薄膜層，所述背電極層為鉬薄膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種摻雜碲化鎘薄膜電池，其特征在于：所述窗口層的厚度為35-70nm。

3.一種摻雜碲化鎘薄膜電池的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括依次設(shè)置的以下步驟：以硼硅玻璃層為襯底，在所述襯底上沉積一層前電極ITO層；在酸溶液中浸泡；在所述前電極ITO層上沉積一層窗口層；在所述窗口層上沉積一層光吸收層；退火處理；在所述光吸收層上沉積一層背接觸層；在所述背接觸層上沉積一層背電極層；通過(guò)激光刻劃形成電池串聯(lián)；封裝。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種摻雜碲化鎘薄膜電池的制作方法，其特征在于：所述窗口層為硫化銦薄膜層，所述光吸收層為摻銣碲化鎘復(fù)合薄膜層，所述背接觸層為摻銅碲化鋅復(fù)合薄膜層，所述背電極層為鉬薄膜層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種摻雜碲化鎘薄膜電池的制作方法，其特征在于：所述窗口層的厚度為35-70nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種摻雜碲化鎘薄膜電池的制作方法，其特征在于：所述在酸溶液中浸泡的時(shí)間為3-5min，所述酸溶液選自鹽酸溶液、硫酸溶液、磷酸溶液中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種摻雜碲化鎘薄膜電池的制作方法，其特征在于：所述前電極ITO層、窗口層、背接觸層、背電極層的沉積方式為磁控濺射法。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種摻雜碲化鎘薄膜電池的制作方法，其特征在于：所述光吸收層的沉積方式為近空間升華法，沉積溫度為650-700℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種摻雜碲化鎘薄膜電池的制作方法，其特征在于：所述退火處理具體為：在350-400℃的氯化鎘中退火。

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種摻雜碲化鎘薄膜電池的制作方法，其特征在于：所述封裝步驟中采用的封裝層為鈉鈣玻璃層。