[發(fā)明專利]一種銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法

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• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106784076A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設計）人: 張瀚銘;喬在祥;趙岳;徐睿
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十八研究所
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/0352
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權代理有限公司11315
• 代理人: 劉昕

1.一種銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：以二乙基鋅、H₂S、H₂O分別作為Zn、S、O的前軀體源，采用原子層沉積方法在加熱的襯底上交替沉積ZnO薄膜和ZnS薄膜多次，制備得到Zn(O,S)緩沖層。

2.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：所述沉積ZnO薄膜是指向原子層沉積設備的反應腔室導入二乙基鋅后，用高純氮氣吹掃反應腔室，再導入水蒸氣，沉積得到單層ZnO，再用高純氮氣吹掃反應腔室。

3.根據(jù)權利要求2所述的銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：所述二乙基鋅、高純氮氣和水蒸氣、高純氮氣在反應腔室內的暴露時間依次為0.1～1s、3～10s和0.1～1s、3～10s。

4.根據(jù)權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：所述沉積ZnS薄膜是指向原子層沉積設備的反應腔室導入二乙基鋅后，用高純氮氣吹掃反應腔室，再導入H₂S，沉積得到單層ZnS，再用高純氮氣吹掃反應腔室。

5.根據(jù)權利要求4所述的銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：所述二乙基鋅、高純氮氣和H₂S、高純氮氣在反應腔室內的暴露時間依次為0.1～1s、3～10s和0.1～1s、3～10s。

6.根據(jù)權利要求1至5任一項所述的銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：所述交替沉積ZnO薄膜和ZnS薄膜多次是指交替沉積ZnO薄膜和ZnS薄膜各100～500次。

7.根據(jù)權利要求1至5任一項所述的銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：所述反應腔室內的壓強為0.3～0.6Pa。

8.根據(jù)權利要求1至5任一項所述的銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：所述襯底的加熱溫度為100～150℃。

9.根據(jù)權利要求1至5任一項所述的銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層的制備方法，其特征在于：所述二乙基鋅、高純氮氣、H₂S和水蒸氣的氣體流量為100～300sccm。

10.一種銅銦鎵硒薄膜太陽電池緩沖層，其特征在于：根據(jù)權利要求1至9中任一項所述方法制備得到。