[發(fā)明專利]具有原子氧防護(hù)性的抗輻照玻璃蓋板薄膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611233522.1
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN106630678B
• 公開（公告）日: 2019-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫希鵬;杜永超;肖志斌;李曉東
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十八研究所;天津恒電空間電源有限公司
• 主分類號(hào): C03C17/34
• 分類號(hào): C03C17/34
• 代理公司: 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 劉昕

1.具有原子氧防護(hù)性的抗輻照玻璃蓋板薄膜，其特征在于：包括HfO₂膜層和SiO₂膜層兩種膜層，所述HfO₂膜層折射率為1.93±0.02，所述SiO₂膜層的折射率為1.45±0.01，所述HfO₂膜層和所述SiO₂膜層共18層，材料及厚度依次為：第1膜層材料為HfO₂，厚度為10±1nm，第2膜層材料為SiO₂，厚度為66±4nm，第3膜層材料為HfO₂，厚度為15±1nm，第4膜層材料為SiO₂，厚度為72±4nm，第5膜層材料為HfO₂，厚度為22±2nm，第6膜層材料為SiO₂，厚度為63±4nm，第7膜層材料為HfO₂，厚度為30±2nm，第8膜層材料為SiO₂，厚度為50±3nm，第9膜層材料為HfO₂，厚度為43±3nm，第10膜層材料為SiO₂，厚度為35±2nm，第11膜層材料為HfO₂，厚度為53±3nm，第12膜層材料為SiO₂，厚度為33±2nm，第13膜層材料為HfO₂，厚度為49±3nm，第14膜層材料為SiO₂，厚度為39±2nm，第15膜層材料為HfO₂，厚度為39±2nm，第16膜層材料為SiO₂，厚度為53±3nm，第17膜層材料為HfO₂，厚度為21±2nm，第18膜層材料為SiO₂，厚度為125±7nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗輻照玻璃蓋板薄膜，其特征在于：所述膜層的厚度依次為：第1膜層為10nm，第2膜層為66nm，第3膜層為15nm，第4膜層為72nm，第5膜層為22nm，第6膜層為63nm，第7膜層材料為30nm，第8膜層為50nm，第9膜層為43nm，第10膜層為35nm，第11膜層為53nm，第12膜層為33nm，第13膜層為49nm，第14膜層為39nm，第15膜層為39nm，第16膜層為53nm，第17膜層為21nm，第18膜層為125nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的抗輻照玻璃蓋板薄膜，其特征在于：所述HfO₂膜層的折射率為1.93，所述SiO₂膜層的折射率為1.45。

4.一種制備如權(quán)利要求1-3任一所述抗輻照玻璃蓋板薄膜的方法，其特征是包括：對(duì)玻璃蓋片進(jìn)行清洗預(yù)處理；在溫度不低于150℃的條件下，利用電子束熱蒸發(fā)的方法將膜層依次沉積到玻璃蓋片表面，蒸發(fā)源為直徑2-4mm的SiO₂顆粒及直徑3-5mm的HfO₂顆粒；在沉積過程中進(jìn)行離子源輔助沉積，所述離子源以氬氣為介質(zhì)氣體，離子能量為80eV，束流為5A。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抗輻照玻璃蓋板薄膜的制備方法，其特征在于：所述電子束熱蒸發(fā)依次沉積膜層過程中真空度條件不低于3.0×10^-3Pa。