[發明專利]數據存儲裝置的操作方法在審
| 申請號: | 201611231438.6 | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN107767910A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 金善雄 | 申請(專利權)人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C13/00 | 分類號: | G11C13/00;G06F11/10 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司11002 | 代理人: | 王瑩,王朋飛 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 數據 存儲 裝置 操作方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求于2016年8月17日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2016-0104405的韓國申請的優先權,其全部內容通過引用并入本文。
技術領域
各種實施例總體涉及一種數據存儲裝置,并且更具體地,涉及一種包括非易失性存儲器裝置的數據存儲裝置的操作方法。
背景技術
數據存儲裝置響應于寫入請求存儲由外部裝置提供的數據。數據存儲裝置也可響應于讀取請求將存儲的數據提供給外部裝置。使用數據存儲裝置的外部裝置的示例包括計算機、數碼相機、移動電話等。數據存儲裝置可在外部裝置的制造期間嵌入在外部裝置中或可單獨制造然后連接到外部裝置。
數據存儲裝置可以如下形式來制備:個人計算機存儲卡國際協會(PCMCIA)卡、標準閃存(CF)卡、智能媒體卡、記憶棒、各種多媒體卡(MMC、eMMC、RS-MMC和微型-MMC)、各種安全數字卡(SD、迷你-SD和微型-SD)、通用閃速存儲器(UFS)、固態驅動器(SSD)等。
發明內容
各種實施例旨在提供一種包括非易失性存儲器裝置的數據存儲裝置的操作方法,其使用通過反轉待存儲在非易失性存儲器裝置中的原始數據獲得的反轉數據來減少錯誤校正能力內的錯誤位的數量。
在實施例中,數據存儲裝置的操作方法可包括:接收第一數據;通過將第一標記添加到第一數據來生成第一標記數據;通過對第一標記數據執行編碼操作來生成第一編碼標記數據;執行將第一編碼標記數據存儲在相變存儲器區域的目標位置中的第一寫入操作;確定第一寫入操作是成功還是失敗;當確定第一寫入操作失敗時,通過將第二標記添加到通過反轉第一數據獲得的第二數據來生成第二標記數據;通過對第二標記數據執行編碼操作來生成第二編碼標記數據;并且執行將第二編碼標記數據存儲在目標位置中的第二寫入操作。
在實施例中,數據存儲裝置的操作方法可包括:通過對第一數據執行編碼操作來生成第一編碼數據;通過將第一標記添加到第一編碼數據來生成第一標記編碼數據;執行將第一標記編碼數據存儲在相變存儲器區域的目標位置中的第一寫入操作;確定第一寫入操作是成功還是失敗;當確定第一寫入操作失敗時,通過將第二標記添加到通過反轉第一編碼數據獲得的第二編碼數據來生成第二標記編碼數據;并且執行將第二標記編碼數據存儲在目標位置中的第二寫入操作。
附圖說明
通過參照附圖描述本發明的各種實施例,本發明的以上和其它特征以及優點對于本發明所屬領域的技術人員將變得更加顯而易見,其中:
圖1A和圖1B是當相變存儲器單元被卡住(stuck)時,用于解釋根據待存儲的數據的錯誤位的數量的變化的圖。
圖2是用于解釋其中通過在卡住的存儲器單元中存儲反轉數據來減少錯誤位的數量的情況的圖。
圖3是示出根據本發明的實施例的數據存儲裝置的框圖。
圖4A和圖4B是用于解釋圖3的數據存儲裝置存儲從外部裝置傳輸的第一數據的操作方法的圖。
圖5是用于解釋圖3的數據存儲裝置讀取和傳送第一數據的操作方法的圖。
圖6是圖3的數據存儲裝置響應于來自外部裝置的寫入請求存儲第一數據的操作方法的流程圖。
圖7是圖3的確定單元確定第一寫入操作是否已經成功的操作方法的流程圖。
圖8是圖3的數據存儲裝置響應于來自外部裝置的讀取請求讀取和傳送第一數據的操作方法的流程圖。
圖9是示出根據本發明的實施例的數據存儲裝置的框圖。
圖10A和圖10B是用于解釋圖9的數據存儲裝置存儲從外部裝置傳輸的第一數據的操作方法的圖。
圖11A和圖11B是用于解釋圖9的數據存儲裝置讀取和傳送第一數據的操作方法的圖。
圖12是圖9的數據存儲裝置響應于來自外部裝置的寫入請求存儲第一數據的操作方法的流程圖。
圖13A和圖13B是用于解釋圖9的確定單元確定第一寫入操作是否已經成功的操作方法的流程圖。
圖14是圖9的數據存儲裝置響應于來自外部裝置的讀取請求讀取和傳送第一數據的操作方法的流程圖。
具體實施方式
在下文中,將通過本發明的示例性實施例參照附圖描述根據本發明的數據存儲裝置及其操作方法。然而,本發明可以不同形式體現,并且不應被理解為限于本文闡述的實施例。相反,提供這些實施例以詳細地描述本發明以達到本發明所屬領域的技術人員能夠實施本發明的技術概念的程度。
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