[發明專利]一種GaN基紫外探測材料與器件的制備方法在審
| 申請號： | 201611230345.1 | 申請日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN108258063A | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 王曉輝 | 申請（專利權）人： | 成都瑩鑫海科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0304 | 分類號： | H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紫外探測材料 摻雜 制備 光電發射材料 高量子效率 光電發射層 截止波長 能帶結構 平滑過渡 逐漸降低 可變 禁帶 日盲 體內 | ||
【權利要求書】：
1.本發明一種GaN基紫外探測材料與器件的制備方法，其特征在于：NEA Ga1-xAlxN光電陰極在GaN光電陰極的研究基礎上采用變組分設計，得到截止波長可調的Ga1-xAlxN光電陰極以滿足不同的需求，這是本發明的重要特征之一。
2.本發明一種GaN基紫外探測材料與器件，具有截止波長315nm的Ga1-xAlxN光電陰極具有獨特的能帶結構，根據第一性原理計算相關性能參數，在光電發射理論基礎上，可以推導得到量子效率公式，指導材料設計和制備實驗。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
