[發明專利]N型超晶格接觸層的生長方法

在審

• 申請號: 201611229758.8
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106856217A
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發明（設計）人: 焦建軍;黃小輝;周德保;康建;梁旭東
• 申請（專利權）人: 圓融光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 劉丹,黃健

1.一種N型超晶格接觸層的生長方法，其特征在于，包括：

在襯底的上表面生長氮化鎵GaN緩沖層；

在所述氮化鎵GAN緩沖層上生長非摻雜氮化鎵U-GaN層；

在所述非摻雜氮化鎵U-GaN層上生長N型氮化鎵N-GaN層；

在所述N型氮化鎵N-GaN層上生長量子阱發光層MQW；

在所述量子阱發光層MQW上生長P型氮化鎵P-GaN層；

在所述P型氮化鎵P-GaN層上生長N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接觸層，其中x大于等于0且小于1。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接觸層的厚度為3-25納米。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接觸層包括：甲硅烷SiH₄摻雜劑，所述SiH₄摻雜劑的摻雜濃度控制在1×10e²⁰cm^-3-1.2×10e²¹cm^-3之間。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接觸層為N型(IN_0.15GA_0.85N/GaN)₃超晶格接觸層，N型(IN_0.15GA_0.85N/GaN)₃超晶格接觸層的厚度為15納米，其中IN_0.15GA_0.85N超的厚度為2納米，GaN的厚度為3納米，所述SiH₄摻雜劑的擦在濃度為1.2×10e²¹cm^-3。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接觸層為N型(IN_0.1GA_0.9N/GaN)₄超晶格接觸層，N型(IN_0.1GA_0.9N/GaN)₄超晶格接觸層的厚度為16納米，其中N型IN_0.1GA_0.9N的厚度為2納米，GaN的厚度為2納米，所述SiH₄摻雜劑的擦在濃度為1.9×10e²⁰cm^-3-1.2×10e²¹cm^-3之間。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述N型IN_xGA_1-xN/GaN超晶格接觸層中銦IN的摻雜濃度為0％-15％。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述襯底的材質為藍寶石、硅、碳化硅、玻璃、銅、鎳、鉻中的任一種。