[發(fā)明專利]一種表面改性的氮化物半導體及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611229170.2 | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN106847667B | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曹冰;李宗堯;趙恩;楊松;劉伊;吳竹慧;王欽華 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C23C16/34;C23C16/505;C23C16/513 |
| 代理公司： | 32103 蘇州創(chuàng)元專利商標事務(wù)所有限公司 | 代理人： | 陶海鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 表面 改性 氮化物 半導體 及其 制備 方法 | ||
1.一種表面改性的氮化物半導體的制備方法，其特征在于采用射頻等離子體增強化學氣相沉積方法，在氮化物半導體表面直接生長石墨烯，包括如下步驟：
（1）將氮化物半導體襯底置于距等離子體發(fā)生器中心20～60cm位置處，以5～20℃/min的升溫速率升溫至600～800℃；所述的氮化物半導體襯底材料選自氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其三元或四元合金；
（2）以氫氣為等離子體工作氣體對襯底表面處理1～20min；
（3）以甲烷為反應(yīng)氣體,等離子體電源的功率為50～100W，沉積溫度為600～800℃的條件下，在氮化物半導體表面直接生長二維或三維垂直結(jié)構(gòu)石墨烯,沉積時間為30～400min；
（4）以2～4℃/min的降溫速率降溫至室溫,得到一種表面改性的氮化物半導體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種表面改性的氮化物半導體的制備方法，其特征在于：在沉積溫度為600～700℃, 等離子體電源的功率為50～80W條件下，在氮化物半導體表面生長得到二維石墨烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一 種表面改性的氮化物半導體的制備方法，其特征在于：在沉積溫度為大于700～800℃, 等離子體電源的功率為50～100W條件下，在氮化物半導體表面生長得到三維垂直結(jié)構(gòu)石墨烯。
4.按權(quán)利要求1制備方法得到的一種表面改性的氮化物半導體，它對水的接觸角為60～140°。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
