[發明專利]一種改善歐姆接觸電阻的方法

在審

• 申請號: 201611228543.4
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106783569A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 張明利;閆穩玉;趙利
• 申請（專利權）人: 山東聚芯光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/335
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種改善歐姆接觸電阻的方法，其特征在于：包括電流退火，其具體步驟為：將GaN HEMT的S/D極接上探針，在自動探針測試臺上就是用探針卡上的探針在整個晶圓上實施；如果這個接觸是低電阻的良好接觸，則移動到晶圓上的下一個器件；如果檢測到高電阻的不良接觸，則大于該器件額定值10倍、脈沖寬度達毫秒級的電流脈沖通過探針施加到不良接觸上，脈沖重復數次直至接觸變得良好。

2.根據權利要求1所述的一種改善歐姆接觸電阻的方法，其特征在于：在進行電流退火前，還需進行以下步驟：

第一步，對待加工器件進行清洗；

第二步，對待加工器件進行光刻，形成歐姆接觸圖形；

第三步，在待加工器件表面進行蒸鍍，由上至下蒸鍍鈦、鋁、鎳、金四層金屬層，其中，鈦的厚度20-30nm；鋁的厚度120-180nm；鎳的厚度30-50nm；金的厚度60-80nm；

第四步，去膠；

第五步，采用RTP退火；

第六步；再次清洗。

3.根據權利要求2所述的一種改善歐姆接觸電阻的方法，其特征在于：以上第二步中，在光刻工藝前在GaN溝道層和AlGaN勢壘層之間形成有二維電子氣，在所述AlGaN層表面上覆蓋掩膜層。

4.根據權利要求3所述的一種改善歐姆接觸電阻的方法，其特征在于：所述掩膜層的材料為光刻膠。

5.根據權利要求4所述的一種改善歐姆接觸電阻的方法，其特征在于：采用光刻工藝在掩膜層上形成歐姆接觸區域和非歐姆接觸區域。

6.根據權利要求2所述的一種改善歐姆接觸電阻的方法，其特征在于：以上第五步中，進行800℃的高溫退火，退火時間30s。