[發明專利]一種熱敏薄膜電阻的制備方法

在審

• 申請號: 201611228137.8
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106782965A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 蘇州思創源博電子科技有限公司
• 主分類號: H01C17/06
• 分類號: H01C17/06;H01C17/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熱敏薄膜電阻的制備方法，該方法包括如下步驟：

（1）處理襯底

研磨拋光并清洗Si襯底，備用；

所述研磨拋光，可將襯底先在600目的金剛石砂輪盤上進行粗磨10min，然后在1200目的金剛石砂輪盤上進行細磨10min，再用W2.5的金剛石拋光粉進行拋光至試樣表面均勻光亮，所述超聲清洗，可將研磨拋光后的襯底按以下順序清洗，丙酮超聲清洗5min→無水乙醇超聲清洗5min→烘干待用，所述離子源清洗，可采用霍爾離子源對襯底進行清洗5min，壓強為2×10^-2Pa，襯底溫度為300℃，氬氣通量為10sccm，偏壓為-100V，陰極電流為29.5A，陰極電壓為19V，陽極電流為7A，陽極電壓為80V，以清除襯底表面的吸附氣體以及雜質；

（2）采用化學氣相淀積方法在硅片的拋光面生長SiO₂膜；在SiO₂膜表面上濺射Ni膜；在Ni膜表面上濺射Cu膜；在Cu膜表面上濺射Al膜；

（3）旋涂正性光刻膠BPEPG533，對Al膜進行光刻、顯影；用磷酸濕法腐蝕Al膜；所述磷酸濕法腐蝕液為體積比為（50-40）∶（2-1）∶（10-5）∶（9-7）的52％質量濃度的H₃PO₄溶液、68％質量濃度HNO₃溶液、75％質量濃度CH₃COOH溶液、H₂O形成的混合溶液；

（4）用銅濕法腐蝕液腐蝕CU膜，形成銅連接層，去除光刻膠；所述銅酸濕法腐蝕液是體積比為1∶（5-6）的20％質量濃度(NH₄)₂S₂O₈溶液、H₂O形成的混合溶液；

（5）旋涂正性光刻膠BPEPG533，對Ni膜進行光刻、顯影，用王水并在溫度保持為30℃下對Ni膜進行腐蝕，用丙酮去除光刻膠形成鎳絲熱敏薄膜電阻；在溫度為600-800℃氮氣氛圍中進行熱處理，改善結晶結構，保溫時間為6-8小時，劃片，得到產品。