[發(fā)明專利]四丙基溴化胺無水剝離液

在審

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• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106773563A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王建榮
• 申請（專利權(quán)）人: 昆山欣谷微電子材料有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及干蝕刻領(lǐng)域，具體是四丙基溴化胺無水剝離液。

背景技術(shù)

金屬蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。

通常所指金屬蝕刻也稱光化學(xué)金屬蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要金屬蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在金屬蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密金屬蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，金屬蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

在鋁金屬干蝕刻的技術(shù)上，經(jīng)常會有殘余物出現(xiàn)，這些殘余物是在金屬加氣體加光刻膠后經(jīng)過高溫而形成的，同時(shí)鋁金屬也會受到干蝕刻氣體腐蝕。目前還沒有一種對鋁金屬特別有效的干蝕刻之后使用的專用的四丙基溴化胺無水剝離液。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明正是針對以上技術(shù)問題，提供一種對鋁金屬特別有效的干蝕刻之后使用的專用的四丙基溴化胺無水剝離液。

四丙基溴化胺無水剝離液，主要由四丙基溴化胺、沒食子酸丙酯、氧化銀、有機(jī)溶劑組成，其中，各組份之間的比例為四丙基溴化胺：沒食子酸丙酯：氧化銀：有機(jī)溶劑=3～7：3：1：17。有機(jī)溶劑為兩種有機(jī)溶劑混合組成。有機(jī)溶劑為二甲基亞砜與二乙二醇丁醚組成。

本發(fā)明還提供四丙基溴化胺無水剝離液的制備方法，包括以下步驟：1、制備四丙基溴化胺氧化銀混合溶液；2、將步驟1中的混合溶液在通風(fēng)狀態(tài)下邊攪拌邊加入沒食子酸丙酯；3、將步驟2中的混合溶液與其它有機(jī)溶劑混合，通風(fēng)攪拌30分鐘；4、將步驟3中的混合溶液經(jīng)過0.2μm過濾。四丙基溴化胺無水剝離液的使用溫度為40℃～60℃。其中，步驟1、步驟2均需在非金屬單一材質(zhì)的混合槽中進(jìn)行。

本發(fā)明所述四丙基溴化胺無水剝離液的有益效果主要有：

1、不會造成鋁金屬損壞。

2、配方簡單，易混合。

3、使用溫度易控。

4、沒有燃燒或爆炸的危險(xiǎn)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。

實(shí)施例1

將四丙基溴化胺與氧化銀按重量比3：1比例制成混合溶液，再將與四丙基溴化胺等重的沒食子酸丙酯在通風(fēng)攪拌狀態(tài)下加入到混合溶液中制備成半成品溶液，再在具有通風(fēng)設(shè)備的純PE混合槽中將四丙基溴化胺、氧化銀、沒食子酸丙酯混合成的半成品溶液與二甲基亞砜按重量比1：2的比例混合，通風(fēng)攪拌30分鐘后，經(jīng)0.2μm過濾后進(jìn)行干蝕刻的無水剝離。

經(jīng)試驗(yàn)，該四丙基溴化胺無水剝離液對鋁金屬干蝕刻殘余物剝離效果非常明顯，而且由于是無水配方，因此不會造成鋁的腐蝕。

實(shí)施例2

將四丙基溴化胺與氧化銀按重量比7：1的比例制成混合溶液，再將重量為氧化銀三倍重量的沒食子酸丙酯在通風(fēng)攪拌狀態(tài)下加入到混合溶液中制備成半成品溶液，再在具有通風(fēng)設(shè)備的純PE混合槽中將四丙基溴化胺、氧化銀、沒食子酸丙酯混合成的半成品溶液與二甲基亞砜、二乙二醇丁醚按11：8：9的比例混合，通風(fēng)攪拌30分鐘后，經(jīng)0.2μm過濾后進(jìn)行干蝕刻的無水剝離。

經(jīng)試驗(yàn)，該四丙基溴化胺無水剝離液對鋁金屬干蝕刻殘余物剝離效果非常明顯，而且由于是無水配方，因此不會造成鋁的腐蝕。