[發明專利]一種無基板半導體封裝制造方法在審
| 申請號： | 201611227400.1 | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108242403A | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發明（設計）人： | 呂香樺;劉植;鐘金旻;洪根剛 | 申請（專利權）人： | 冠寶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 劉云貴;金衛文 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬基板 無基板半導體封裝 晶粒 置放區 圖案 半導體晶粒 固化封裝 封裝膠 焊墊區 聯機 導電 移除 置放 封裝 制造 背面 | ||
1.一種無基板半導體封裝的制造方法，其特征在于，包含：
提供金屬基板，其具有厚度、第一表面與第二表面；
形成第一圖案在該金屬基板的該第一表面上，其中該第一圖案具有圖案厚度，且該第一圖案包含晶粒置放區、導電聯機區以及封裝焊接區；
置放半導體晶粒于該晶粒置放區上；
形成封膠層在該金屬基板的該第一表面、該第一圖案以及該半導體晶粒上，其中該封膠層填滿該第一圖案與該半導體晶粒間的間隙；
移除該金屬基板的該第二表面，以薄化該金屬基板，使該第一圖案的底部暴露出來。
2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，
形成該第一圖案的同時，形成第二圖案在該金屬基板的該第一表面上，其中該第二圖案具有該圖案厚度；
移除該金屬基板的該第二表面時，同時使該第一圖案與該第二圖案的底部暴露出來，其中該第一圖案與該第二圖案電性絕緣。
3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，該圖案厚度與該金屬基板該厚度比為1/5～1/10。
4.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，該第一圖案與第二圖案的總表面積與該金屬基板的表面積比大于30％。
5.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，移除該金屬基板的該第二表面的方法以研磨方式。
6.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，移除該金屬基板的該第二表面的方法以蝕刻方式。
7.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，該金屬基板的材料包含，銅、鋁、銀或鎳。
8.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，當該第一圖案的底部暴露出來時，該導電聯機區、該封裝焊接區與該晶粒置放區電性連接，該半導體晶粒以覆晶方式置于該晶粒置放區上，且該半導體晶粒的接合墊電性連接該晶粒置放區。
9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，當該第一圖案的底部暴露出來時，該導電聯機區與該封裝焊接區電性連接，且該晶粒置放區與該導電聯機區電性絕緣，該半導體晶粒的接合墊以打線方式電性連接至導線連接區。
10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成該第一圖案與第二圖案的方法包含微影蝕刻。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
