[發明專利]一種雙節疊層并聯的碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝方法有效
| 申請號: | 201611226853.2 | 申請日: | 2016-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN106711284B | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發明(設計)人: | 鄢開均;何光俊;齊鵬飛;陳金良;賴新暖;牛改宇 | 申請(專利權)人: | 中山瑞科新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0296 |
| 代理公司: | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 伍傳松 |
| 地址: | 528437 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 第一層 硫化鎘 碲化鎘 碲化鎘薄膜太陽能電池 清洗 襯底玻璃 活化處理 激光刻線 制造工藝 背電極 氯化鎘 并聯 疊層 活化 雙節 有效降低電池 碲化鎘電池 沉積金屬 封裝測試 工藝改善 激光刻畫 開路電壓 轉化效率 緩沖層 磨邊 激光 電池 | ||
1.一種雙節疊層并聯的碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)將襯底玻璃磨邊;(2)在襯底玻璃上沉積TCO導電玻璃并清洗;(3)在TCO導電玻璃上沉積第一層硫化鎘;(4)在第一層硫化鎘上沉積第一層碲化鎘;(5)第一次氯化鎘活化處理;(6)第一次活化后清洗;(7)在第一層碲化鎘上面沉積第二層硫化鎘;(8)在第二層硫化鎘上面沉積第二層碲化鎘;(9)第二次氯化鎘活化處理;(10)第二次活化后清洗;(11)P1激光刻線;(12)沉積緩沖層;(13)P2激光刻線;(14)沉積金屬背電極;(15)P3激光刻畫背電極;(16)激光掃邊;(17)封裝測試;所述第一層硫化鎘厚度為100nm,第一層碲化鎘厚度為500nm,第二層硫化鎘厚度為400nm,第二層碲化鎘厚度為3um。
2.根據權利要求1所述的一種雙節疊層并聯的碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝方法,其特征在于,所述步驟(11)、(13)和(15)采用并聯的方式刻線,P1\P2\P3激光刻線重合,封裝的時候再用并聯連接的方式連接線路。
3.根據權利要求1所述的一種雙節疊層并聯的碲化鎘薄膜太陽能電池制造工藝方法,其特征在于,所述第一層硫化鎘與第一層碲化鎘組成的第一個PN結,第二層硫化鎘與第二層碲化鎘組成的第二個PN結,第一個PN結與第二個PN結串聯。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





