[發(fā)明專(zhuān)利]高線性度的相位插值器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611226731.3
• 申請(qǐng)日: 2016-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106656116B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫寧基;蔣劍飛;王琴;關(guān)寧;繩偉光;景乃鋒;何衛(wèi)鋒;賀光輝;毛志剛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H03K5/13
• 分類(lèi)號(hào): H03K5/13
• 代理公司: 31227 上海伯瑞杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李慶

1.一種高線性度的相位插值器，其特征在于，包括：

一負(fù)載電路，所述負(fù)載電路連接一等電位端；

一差分對(duì)組，所述差分對(duì)組連接所述負(fù)載電路、一第一信號(hào)輸入端、一第二信號(hào)輸入端、一第三信號(hào)輸入端和一第四信號(hào)輸入端；

一主電流源偏置陣列，所述主電流源偏置陣列連接所述差分對(duì)組、一象限控制信號(hào)輸入端、一第一相位控制信號(hào)輸入端和一第一偏置電壓輸入端；和

兩副電流源偏置陣列，兩副電流源偏置陣列分別連接所述主電流源偏置陣列、一第二相位控制信號(hào)輸入端和一第二偏置電壓輸入端；

所述副電流源偏置陣列包括：

多個(gè)第五MOS管，所述第五MOS管的柵極連接所述第二相位控制信號(hào)輸入端；和

多個(gè)第四電流源管，每一所述第五MOS管的源極一一對(duì)應(yīng)地連接一所述第四電流源管的漏極，所述第四電流源管的柵極連接所述第二偏置電壓輸入端；所述第四電流源管的源極接地；

第一副電流源偏置陣列的所述第五MOS管的漏極連接所述主電流源偏置陣列；第二副電流源偏置陣列的所述第五MOS管的漏極連接所述主電流源偏置陣列。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高線性度的相位插值器，其特征在于，所述差分對(duì)組包括四個(gè)差分對(duì)，每一所述差分對(duì)包括一第一MOS管和一第二MOS管：所述第一MOS管的漏極連接所述差分對(duì)組的一第一輸出端，各所述第二MOS管的漏極連接所述差分對(duì)組的一第二輸出端；

第一差分對(duì)的第一MOS管和第二差分對(duì)的第二MOS管的柵極連接所述第一信號(hào)輸入端；所述第一差分對(duì)的第二MOS管和所述第二差分對(duì)的第一MOS管的柵極連接所述第二信號(hào)輸入端；

第三差分對(duì)的第一MOS管和第四差分對(duì)的第二MOS管的柵極連接所述第三信號(hào)輸入端；所述第三差分對(duì)的第二MOS管和所述第四差分對(duì)的第一MOS管的柵極連接所述第四信號(hào)輸入端；

所述第一差分對(duì)的所述第一MOS管和所述第二MOS管的源極連接所述主電流源偏置陣列的一第一連接端；所述第二差分對(duì)的所述第一MOS管和所述第二MOS管的源極連接所述主電流源偏置陣列的一第二連接端；所述第三差分對(duì)的所述第一MOS管和所述第二MOS管的源極連接所述主電流源偏置陣列的一第三連接端；所述第四差分對(duì)的所述第一MOS管和所述第二MOS管的源極連接所述主電流源偏置陣列的一第四連接端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高線性度的相位插值器，其特征在于，所述主電流源偏置陣列包括：

一第一開(kāi)關(guān)管，所述第一開(kāi)關(guān)管的漏極連接所述主電流源偏置陣列的第一連接端；

一第二開(kāi)關(guān)管，所述第二開(kāi)關(guān)管的源極連接所述主電流源偏置陣列的第二連接端；

一第三開(kāi)關(guān)管，所述第三開(kāi)關(guān)管的漏極連接所述主電流源偏置陣列的第三連接端；

一第四開(kāi)關(guān)管，所述第四開(kāi)關(guān)管的源極連接所述主電流源偏置陣列的第四連接端；

所述第一開(kāi)關(guān)管、所述第二開(kāi)關(guān)管、所述第三開(kāi)關(guān)管和所述第四開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述象限控制信號(hào)輸入端；

多個(gè)開(kāi)關(guān)對(duì)，每一所述開(kāi)關(guān)對(duì)包括一第三MOS管和一第四MOS管，所述第三MOS管和所述第四MOS管的柵極連接所述第一相位控制信號(hào)輸入端；所述第四MOS管的源極連接所述第一開(kāi)關(guān)管的源極和所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極；所述第三MOS管的漏極連接所述第三開(kāi)關(guān)管的源極和所述第四開(kāi)關(guān)管的漏極；

一第一電流源管，所述第一電流源管的漏極連接各所述第三MOS管的漏極，所述第一電流源管的柵極連接所述第一偏置電壓輸入端，所述第一電流源管的源極接地；

多個(gè)第二電流源管，每一所述開(kāi)關(guān)對(duì)的所述第三MOS管的源極和所述第四MOS管的柵極一一對(duì)應(yīng)地連接一所述第二電流源管的漏極；所述第二電流源管的柵極連接所述第一偏置電壓輸入端；所述第二電流源管的源極接地；和

一第三電流源管，所述第三電流源管的漏極連接各所述第四MOS管的源極，所述第三電流源管的柵極連接所述第一偏置電壓輸入端，所述第三電流源管的源極接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高線性度的相位插值器，其特征在于，

一所述第一副電流源偏置陣列的所述第五MOS管的漏極連接所述第一開(kāi)關(guān)管的源極和所述第二開(kāi)關(guān)管的漏極；一所述第二副電流源偏置陣列的所述第五MOS管的漏極連接所述第三開(kāi)關(guān)管的源極和所述第四開(kāi)關(guān)管的漏極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)所述的高線性度的相位插值器，其特征在于，所述負(fù)載電路包括：一第一電阻和一第二電阻，所述第一電阻連接于所述等電位端與所述差分對(duì)組的第一輸出端之間，所述第二電阻連接于所述等電位端與所述差分對(duì)組的第二輸出端之間。