[發(fā)明專利]一種制備SnSe晶體的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611226276.7
• 申請(qǐng)日: 2016-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108239787A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金敏;蔣俊;胡皓陽(yáng);邵和助;徐靜濤;江浩川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類號(hào): C30B29/46
• 分類號(hào): C30B29/46;C30B11/00
• 代理公司: 北京元周律知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11540
• 代理人: 張瑩

1.一種制備SnSe晶體的方法，其特征在于，將含有SnSe多晶的原料置于斜體生長(zhǎng)爐中的容器中生長(zhǎng)得到；

所述斜體生長(zhǎng)爐的爐體軸向與水平方向的夾角為15～30°。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述斜體生長(zhǎng)爐包括高溫區(qū)、中溫區(qū)和低溫區(qū)；

其中，高溫區(qū)溫度為900～950℃，中溫區(qū)溫度為860～900℃，低溫區(qū)溫度為800～860℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述容器的放肩角度60～120°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述容器為直徑2～4英寸的石英坩堝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述容器中裝有SnSe籽晶，籽晶取向?yàn)?amp;lt;100>、<110>、<111>。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

a)將含有SnSe多晶的原料裝入坩堝中抽真空后密封；坩堝放肩角度60～120°，裝有取向?yàn)?amp;lt;100>、<110>、<111>的籽晶；

b)將密封后的坩堝置于斜體生長(zhǎng)爐中，控制斜體反應(yīng)爐中高溫區(qū)溫度為900～950℃，中溫區(qū)溫度為860～900℃，低溫區(qū)溫度為800～860℃進(jìn)行晶體生長(zhǎng)；斜體生長(zhǎng)爐的爐體軸向與水平方向的夾角為15～30°；

c)待原料中的SnSe多晶全部融化并與籽晶完成接種后，以15～20℃/h速度緩慢降至室溫，即得所述SnSe晶體。

7.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的方法，其特征在于，中溫區(qū)的晶體生長(zhǎng)的溫度梯度大小為3～5℃/cm，生長(zhǎng)速度為0.5～2mm/h。

8.一種晶體生長(zhǎng)爐，包括爐體、用于支撐所述爐體的爐體支架、由程序控制的加熱元件以及位于所述爐體內(nèi)的爐膛；所述爐體軸向與水平方向的夾角為15～30°。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于，所述爐膛分三個(gè)溫度區(qū)域：位于上部的高溫區(qū)、位于中部的中溫區(qū)、位于下部的低溫區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體生長(zhǎng)爐，其特征在于，所述加熱元件由電阻絲纏繞形成，分為七段；其中，第1至3段對(duì)應(yīng)高溫區(qū)，第4和5段對(duì)應(yīng)中溫區(qū)，第6和7段對(duì)應(yīng)低溫區(qū)。