[發(fā)明專利]高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料及其制備和應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611226047.5
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106698951A
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翟繼衛(wèi);劉靜然;楊科
• 申請（專利權(quán)）人: 同濟(jì)大學(xué)
• 主分類號: C03C10/00
• 分類號: C03C10/00;C03C4/16;H01G9/025
• 代理公司: 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司31225
• 代理人: 陳亮

1.高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料，其特征在于，該儲(chǔ)能材料按摩爾比25.6BaO-6.4R₍₂₎O-32Nb₂O₅-36SiO₂進(jìn)行配料，所述的R為堿金屬或堿土金屬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料，其特征在于，所述的堿金屬Li、Na、K或Na_1/2K_1/2。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料，其特征在于，所述的堿土金屬為Ba。

4.如權(quán)利要求1所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料的制備方法，其特征在于，該方法采用以下步驟：

(1)以BaCO₃、R₂CO₃、Nb₂O₅和SiO₂為原料，按摩爾比25.6BaO-6.4R₍₂₎O-32Nb₂O₅-36SiO₂進(jìn)行配料，其中R為Ba、Li、Na、K或Na_1/2K_1/2；

(2)將步驟(1)的配料經(jīng)球磨混料后，烘干，并進(jìn)行高溫熔融，制得高溫熔體；

(3)將步驟(2)制得的高溫熔體澄清數(shù)小時(shí)后，澆注至預(yù)熱的金屬模具中，去應(yīng)力退火，制得透明玻璃；

(4)將步驟(3)制得的玻璃切割成厚度為0.9～1.2mm的玻璃薄片，進(jìn)行研磨拋光，即得鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)中各原料純度大于99.95wt％。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)在混合時(shí)，添加酒精潤濕原料后，球磨混料20～30h，優(yōu)選20～24h。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料的制備方法，其特征在于，步驟(2)中高溫熔融的工藝條件為：在1500～1600℃下高溫熔融1～3h。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料的制備方法，其特征在于，步驟(3)中澄清條件為：在1500～1600℃下恒溫澄清1～3h。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料的制備方法，其特征在于，步驟(3)中去應(yīng)力退火的溫度為550～650℃，優(yōu)選600～650℃，時(shí)間為4～7h，優(yōu)選5h。

10.如權(quán)利要求1所述的高儲(chǔ)能密度的鈮硅基玻璃儲(chǔ)能材料在儲(chǔ)能電容器中的應(yīng)用。