[發(fā)明專利]帶有絕緣埋層的襯底的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611225994.2
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106783725B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設計）人: 魏星;常永偉;陳猛;陳國興;費璐;王曦
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/02
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一襯底，所述襯底具有一支撐層和設置在支撐層表面的一絕緣層；

實施第一次離子注入，向所述襯底內注入改性離子，所述絕緣層和支撐層的界面與改性離子濃度的高斯分布峰之間的距離小于50nm，以使所述改性離子能夠在所述絕緣層中形成納米團簇；所述絕緣層和所述支撐層的界面位于第一次離子注入的所述改性離子濃度的高斯分布峰的左側有效范圍內或者右側有效范圍內；

實施第二次離子注入，繼續(xù)向所述絕緣層內注入改性離子，所采用的注入離子與第一次離子注入的步驟相同，本步驟中改性離子濃度的高斯分布峰與上一次離子注入的高斯分布峰之間的距離小于80nm，以實現(xiàn)納米團簇分布區(qū)域的展寬；第二次離子注入的改性離子濃度的高斯分布峰位于上一次離子注入的高斯分布峰的左側有效邊界內或者右側有效邊界內。

2.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，所述改性離子為構成絕緣層的化學元素中的一種，或者所述改性離子為構成絕緣層的化學元素中的一種的同族元素。

3.根據權利要求2所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為二氧化硅，所述改性離子為硅或鍺離子。

4.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，所述絕緣層為絕緣埋層或者位于所述襯底的表面。

5.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，所述第二次離子注入的能量小于第一次離子注入的能量。

6.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，所述第一次離子注入的劑量范圍是3×10¹⁵cm^-2至2×10¹⁶cm^-2。

7.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，所述第一次離子注入的溫度高于400攝氏度。

8.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，所述第一次離子注入和第二次離子注入的劑量相同。

9.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，反復實施第二次離子注入的步驟以實現(xiàn)納米團簇分布區(qū)域的更大展寬。

10.根據權利要求1所述的帶有絕緣埋層的襯底的制備方法，其特征在于，在第二次離子注入完畢后，進一步包括熱處理步驟。