[發明專利]一種單層雙面互電容式觸控功能片及其制備方法

有效

• 申請號: 201611225899.2
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN108241458B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 袁凱;劉海濱;譚化兵
• 申請（專利權）人: 無錫第六元素電子薄膜科技有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 北京世衡知識產權代理事務所(普通合伙) 11686
• 代理人: 肖淑芳

1.一種單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：包括：

基底膜，所述基底膜包括第一表面和第二表面；

設置于第一表面的第一導電層，所述第一導電層由圖案化的第一導電膜及設在所述第一導電膜邊緣的第一導線構成，所述第一導線用于連接第一導電膜與電容感應芯片；

設置于第一導電層表面的第一光學膠層；

設置于第二表面的第二導電層，所述第二導電層由圖案化的第二導電膜及設在所述第二導電膜緣的第二導線構成，所述第二導線用于連接第二導電膜與電容感應芯片；

設置于第二導電層表面的第二光學膠層；

所述單層雙面互電容式觸控功能片按如下方法制得：

利用基底膜，所述基底膜包括第一表面和第二表面，具體步驟包括：

1)第二導電層的制作

S1:在基底膜的第二表面上涂布一層ITO導電層；

S2:在ITO表面制作一層金屬薄層，將ITO層和金屬薄層圖案化，形成ITO感應圖案和相應的導線，作為第二導電層；

S3:在第二導電層表面制作一層保護膠；

2)第一導電層的制作

采用下列四種制作工藝路線之一：

路線一：先在基底膜的第一表面轉移一層或連續轉移多層的石墨烯薄膜作為第一導電膜，再在石墨烯薄膜上設置一層金屬薄層，依次對所述金屬薄層和所述第一導電膜進行圖案化處理，形成石墨烯感應圖案和導線，第一導電層制作完畢；

路線二：先在基底膜的第一表面轉移一層或連續轉移多層的石墨烯薄膜作為第一導電膜，圖案化所述第一導電膜，形成石墨烯感應圖案，再在圖案化的第一導電膜上設置一層金屬薄層，圖案化金屬薄層，形成導線，第一導電層制作完畢；

路線三：先在基底膜的第一表面設置一層金屬薄層，并圖案化金屬薄層，形成導線，再向第一表面上轉移一層或連續轉移多層的石墨烯薄膜作為第一導電膜，并圖案化第一導電膜，形成石墨烯感應圖案，第一導電層制作完畢；

路線四：先在基底膜的第一表面設置一層金屬薄層，再向金屬薄層表面上轉移一層或連續轉移多層的石墨烯薄膜作為第一導電膜，依次對所述第一導電膜和所述金屬薄層進行圖案化，形成石墨烯感應圖案和導線，第一導電層制作完畢；

3)第一光學膠層的制作

在第一導電層表面貼合一層光學膠形成第一光學膠層；

4)第二光學膠層的制作

去除第二導電層上的保護層，貼合一層光學膠形成第二光學膠層。

2.根據權利要求1所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述第一導電膜采用由CVD法制備的單層石墨烯薄膜或多層石墨烯疊合膜。

3.根據權利要求1所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述第二導電膜采用ITO薄膜。

4.根據權利要求1所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述第一導線和所述第二導線均采用金屬線，由金屬薄層圖案化而成。

5.根據權利要求1所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述第一導線與第一導電膜連接的一端搭接于第一導電膜的邊緣，位于第一導電膜與基底膜之間，或者位于第一導電膜與第一光學膠層之間。

6.根據權利要求1所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述第二導線與第二導電膜連接的一端搭接于第二導電膜的邊緣，位于第二導電膜與第二光學膠層之間。

7.根據權利要求1所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述基底膜為PET膜材。

8.根據權利要求7所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述基底的厚度為1-1000μm。

9.根據權利要求8所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述基底的厚度為25-150μm。

10.根據權利要求1所述的單層雙面互電容式觸控功能片，其特征在于：所述第一光學膠層和所述第二光學膠層為無色透明的光學膠。