[發明專利]一種SiC雪崩光電二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201611225631.9
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106653932B
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 倪煒江
• 申請（專利權）人: 北京世紀金光半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 尹振啟;張宇鋒

1.一種制備SiC雪崩光電二極管的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

1）在SiC 雪崩光電二極管的外延結構上淀積介質掩膜；然后對介質掩膜進行光刻、刻蝕，得到帶有一定傾角的掩膜層；

2）使用ICP方法進行刻蝕，先使用選擇比相對較低的條件進行刻蝕，得到臺面的斜面與襯底平面之間較小的夾角；然后逐漸改變工藝條件，增大選擇比，直至所述臺面的斜面與襯底平面之間的夾角由臺面的底部至頂部逐漸增大；所述斜面與襯底平面之間的夾角在臺面的底部為30-60°，在臺面的頂部為60-90°；完成臺面的刻蝕；

3）對步驟2）中完成刻蝕的臺面進行高溫退火處理，高溫退火前用碳膜對材料表面進行保護；

4）用氧氣或氮氣等離子體去除步驟3）中的碳膜層，然后再進行犧牲氧化，氧化后用HF或BOE腐蝕去除臺面表面的損傷層；

5）采用熱氧化的方法對臺面進行鈍化，之后在NO或N₂O的氣氛中進行退火；

6）淀積厚的鈍化層進行鈍化保護，去除臺面頂部電極窗口、入射窗口和底部電極窗口的介質，然后淀積抗反射層介質；

7）在臺面頂部和底部的電極窗口處分別淀積歐姆接觸金屬，并進行退火形成歐姆接觸；歐姆接觸完成后在窗口上做上互聯金屬。

2. 根據權利要求1所述的制備SiC 雪崩光電二極管的方法，其特征在于，步驟2）中臺面的深度需要刻蝕掉全部的n-或p-漂移層，過刻蝕進入p+或n+層。

3. 根據權利要求1所述的制備SiC 雪崩光電二極管的方法，其特征在于，步驟2）中所述選擇比的改變次數不小于兩次。

4. 根據權利要求1所述的制備SiC 雪崩光電二極管的方法，其特征在于，步驟3）中高溫退火的溫度在1700℃以上，時間為3min-30min；步驟4）中犧牲氧化的氧化厚度在10-50nm之間，氧化的方式可以為干氧氧化或濕氧氧化。

5. 根據權利要求1所述的制備SiC 雪崩光電二極管的方法，其特征在于，步驟5）中熱氧化的氧化溫度在1200℃-1500℃之間，采用干氧氧化。