[發明專利]在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法在審
| 申請號： | 201611225555.1 | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108239746A | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發明（設計）人： | 黃繼勇 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 類金剛石碳層 半導體元件表面 金屬過渡層 碳化金屬 過渡層 低熱膨脹系數 半導體元件 金剛石碳層 膜基結合力 耐磨性 表面形成 高致密性 高硬度 防刮 | ||
1.在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于，包括：
在半導體元件的表面形成一金屬過渡層；
在所述金屬過渡層上形成一碳化金屬過渡層；以及
在所述碳化金屬過渡層上形成一類金剛石碳層。
2.如權利要求1所述的在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于：所述類金剛石碳層通過磁控濺射形成。
3.如權利要求2所述的在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于，形成所述類金剛石碳層包括：連接碳靶的陰極的脈沖電源設定為功率2kW～5kW，電壓900V～950V，電流2A-5A。
4.如權利要求3所述的在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于：形成所述類金剛石碳層包括：偏置電源設定為偏置電源設定為脈沖寬度0.8us～1us，脈沖頻率300kHz～350kHz，電壓25V～30V，電流0.2A～0.5A。
5.如權利要求1所述的在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于，形成所述金屬過渡層包括：脈沖寬度0.8us～1us，脈沖頻率10kHz～50kHz，電壓50V～60V，電流0.2A～0.5A。
6.如權利要求1所述的在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于：所述金屬過渡層為Ti金屬層，所述碳化金屬過渡層為TiC層。
7.如權利要求1所述的在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于：在形成所述金屬過渡層之前還包括清洗并烘干所述半導體。
8.如權利要求5所述的在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于，形成所述金屬過渡層包括：向真空腔內通入預定流量的氬氣并連接金屬靶。
9.如權利要求3所述的在半導體元件表面形成類金剛石碳層的方法，其特征在于，形成所述類金剛石碳層包括：向真空腔內通入預定流量的甲烷氣體。
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