[發明專利]磁場感測裝置及其感測方法

在審

• 申請號: 201611225294.3
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN107037381A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 袁輔德;賴孟煌
• 申請（專利權）人: 愛盛科技股份有限公司
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

1.一種磁場感測裝置，其特征在于，包括：

異向性磁電阻磁場檢測器，依據受測磁場產生第一輸出電壓；

參考磁場檢測器，依據所述受測磁場產生第二輸出電壓；以及

控制器，耦接所述異向性磁電阻磁場檢測器以及所述參考磁場檢測器，依據所述第二輸出電壓以獲知所述受測磁場的磁場密度的絕對值是否大于或小于預設臨界值，并借以選擇所述第一輸出電壓或飽和電壓來產生磁場檢測結果。

2.根據權利要求1所述的磁場感測裝置，其特征在于，所述異向性磁電阻磁場檢測器依據所述受測磁場的磁場密度的絕對值以工作在線性區或非線性區，所述預設臨界值依據對應所述線性區以及所述非線性區間的臨界磁場密度值來設定。

3.根據權利要求2所述的磁場感測裝置，其特征在于，所述預設臨界值等于所述臨界磁場密度值減去偏移值。

4.根據權利要求1所述的磁場感測裝置，其特征在于，當所述受測磁場的磁場密度的絕對值大于或小于所述預設臨界值，所述控制器選擇所述第一輸出電壓以產生所述磁場檢測結果，當所述磁場的磁場密度的絕對值不大于或不小于所述預設臨界值，所述控制器選擇所述飽和電壓以產生所述磁場檢測結果。

5.根據權利要求1所述的磁場感測裝置，其特征在于，所述控制器包括：

比較器，接收所述第二輸出電壓以及臨界電壓，依據比較所述第二輸出電壓以及所述臨界電壓以產生比較結果信號；以及

選擇器，耦接所述比較器，接收所述第一輸出電壓以及所述飽和電壓，依據所述比較結果信號以選擇所述第二輸出電壓或所述飽和電壓以產生所述磁場檢測結果，

其中，所述臨界電壓等于所述參考磁場檢測器接收磁場密度絕對值等于所述預設臨界值的所述受測磁場時所產生的所述第二電壓的電壓值。

6.根據權利要求5所述的磁場感測裝置，其特征在于，當所述第二輸出電壓不大于或不小于所述臨界電壓時，所述選擇器依據所述比較結果信號選擇所述飽和電壓以產生所述磁場檢測結果。

7.根據權利要求5所述的磁場感測裝置，其特征在于，當所述第二輸出電壓大于或小于所述臨界電壓時，所述選擇器依據所述比較結果信號選擇所述第一輸出電壓以產生所述磁場檢測結果。

8.根據權利要求1所述的磁場感測裝置，其特征在于，所述控制器包括：

比較器，接收所述第二輸出電壓、第一臨界電壓以及第二臨界電壓，依據使所述第二輸出電壓與所述第一臨界電壓以及所述第二臨界電壓進行比較以產生比較結果信號；以及

選擇器，耦接所述比較器，接收所述第二輸出電壓以及所述飽和電壓，依據所述比較結果信號以選擇所述第二輸出電壓或所述飽和電壓以產生所述磁場檢測結果，

其中，所述第一臨界電壓等于所述參考磁場檢測器接收磁場密度等于所述預設臨界值的所述受測磁場時所產生的所述第二電壓的電壓值，所述第二臨界電壓等于所述參考磁場檢測器接收磁場密度等于負預設臨界值的所述受測磁場時所產生的所述第二電壓的電壓值，所述預設臨界值為所述負預設臨界值的相反數。

9.根據權利要求8所述的磁場感測裝置，其特征在于，當所述第二輸出電壓介于所述第一臨界電壓以及所述第二臨界電壓之間時，所述選擇器依據所述比較結果信號選擇所述第一輸出電壓以產生所述磁場檢測結果，其中當所述第二輸出電壓大于所述第一臨界電壓或小于所述第二臨界電壓時，所述選擇器依據所述比較結果信號選擇所述飽和電壓以產生所述磁場檢測結果。

10.根據權利要求1所述的磁場感測裝置，其特征在于，所述參考磁場檢測器為第二異向性磁電阻傳感器、巨磁阻傳感器、穿隧式磁阻傳感器、磁阻感應傳感器或霍爾傳感器。

11.一種磁場感測方法，其特征在于，包括：

提供異向性磁電阻磁場檢測器以依據受測磁場產生第一輸出電壓；

提供參考磁場檢測器，依據所述受測磁場產生第二輸出電壓；以及

依據所述第二輸出電壓以獲知受測磁場的磁場密度的絕對值是否大于或小于預設臨界值，并借以選擇第一輸出電壓或飽和電壓來產生磁場檢測結果。