[發(fā)明專利]一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611225243.0
• 申請(qǐng)日: 2016-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN106856203B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳亞文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 44268 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 王永文;劉文求

本發(fā)明公開一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件及其制備方法，包括基板、位于基板上的像素電極、位于基板上的輔助電極、以及位于基板上用于分隔像素電極和輔助電極的像素bank，所述像素bank覆蓋像素電極邊緣區(qū)域以及輔助電極邊緣區(qū)域，所述輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank形成倒角狀的tape角，所述輔助電極上方依次設(shè)置有功能層和頂電極，且倒角狀的tape角下端的輔助電極與其上方的頂電極相連。本發(fā)明由于將輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank的tape角設(shè)置成倒角狀，從而在蒸鍍功能層時(shí)形成裸露的輔助電極區(qū)，隨后在沉積的頂電極會(huì)覆蓋暴露出來的輔助電極，從而形成頂電極與輔助電極的相連結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)大大簡化的制作工藝，提高了制作效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光二極管（OLED）具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，而量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色易調(diào)、使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，所以上述兩種器件是目前顯示器件研究的兩個(gè)主要方向。其中，頂發(fā)射型器件由于可以獲得更大的開口率，近年來成為了研究的熱點(diǎn)。但是，頂發(fā)射器件由于需要增加光的透過率，頂電極的厚度一般較薄，導(dǎo)致電極方阻較大，電壓降嚴(yán)重，會(huì)引起顯示器的發(fā)光不均勻現(xiàn)象。

為了改善發(fā)光均勻性，往往會(huì)引入與頂電極相連通的輔助電極，通過輔助電極的高導(dǎo)電性來減小頂電極的電壓降，以改善發(fā)光亮度的均勻性。由于輔助電極通常是不透光的，因此不能制作在發(fā)光區(qū)域上。目前，輔助電極往往通過光刻工藝或者精細(xì)金屬掩膜制備，制作工藝對(duì)位精度要求高，且金屬掩膜則會(huì)隨著面板尺寸的增大在重力作用下形成應(yīng)力彎曲，導(dǎo)致對(duì)位不準(zhǔn)的問題。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有頂發(fā)射顯示發(fā)光器件的輔助電極結(jié)構(gòu)無法簡化工藝的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，包括基板、位于基板上的像素電極、位于基板上的輔助電極、以及位于基板上用于分隔像素電極和輔助電極的像素bank，所述像素bank覆蓋像素電極邊緣區(qū)域以及輔助電極邊緣區(qū)域，所述輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank形成倒角狀的tape角，所述輔助電極上方依次設(shè)置有功能層和頂電極，所述像素電極上方依次設(shè)置有發(fā)光層、功能層和頂電極，且倒角狀的tape角下端的輔助電極與其上方的頂電極相連。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述像素電極邊緣區(qū)域的像素bank的tape角為30-60°。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述輔助電極邊緣區(qū)域的像素bank的tape角大于90°。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光層為聚合物發(fā)光層或小分子發(fā)光層。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述功能層依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層以及激子阻擋層；或者，所述功能層依次包括電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層以及激子阻擋層。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述像素電極包括反射金屬薄薄與位于反射金屬薄膜上方的透明導(dǎo)電薄膜。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述反射金屬薄薄為Al、Ag或其合金。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為ITO或IZO。

所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件，其中，所述基板為剛性基板或柔性基板。

一種如上所述的頂發(fā)射顯示發(fā)光器件的制備方法，其中，包括步驟：

A、提供一基板，并在基板上制作圖案化的像素電極以及輔助電極；