[發明專利]一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201611224492.8
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106653695B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 郭遠
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建

本發明提供了一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法，該方法包括：在玻璃基底上形成遮光層；在所述遮光層及裸露的玻璃基底上形成緩沖層，并在所述緩沖層上形成U型多晶硅圖案；對位于顯示區域的所述U型多晶硅圖案進行溝道摻雜處理；對位于顯示區域的進行溝道摻雜處理之后的所述U型多晶硅圖案進行N+重摻雜處理；在所述NMOS溝道及對應的源極區和漏極區、裸露的緩沖層及非顯示區域的所述U型多晶硅圖案上形成柵絕緣層并蝕刻第一過孔后，在所述柵絕緣層上形成柵極線、所述N型雙柵結構晶體管的源極及輕摻雜區；對非顯示區域的所述U型多晶硅圖案進行P+重摻雜處理。本發明可以縮短陣列基板的制程。

技術領域

本發明屬于陣列基板制作技術領域，具體地說，尤其涉及一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法。

背景技術

近年來，LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)技術不斷發展。采用LTPS工藝技術生產的液晶面板，有利于提高面板開口率，使顯示器亮度提升、耗電降低，適用于生產更輕薄、低耗電、高分辨率的產品。

由于高分辨率及高性能需求，目前傳統LTPS工藝相比薄膜晶體管液晶顯示器需要高達12道工藝才能實現陣列基板的整體制程，制程過多會造成生產時間及生產成本的大幅升高，且工藝復雜化于制程中更易發生異常。

發明內容

為解決以上問題，本發明提供了一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法，用以縮短陣列基板的制程。

根據本發明的一個方面，提供了一種用于制作低溫多晶硅陣列基板的方法，包括：

在玻璃基底上形成遮光層，其中，所述遮光層包括陣列排布的遮光圖案，沿列方向在每行間隔設置的遮光圖案的兩側對稱設置有一個延伸部，并且沿列方向的遮光圖案形狀相同；

在所述遮光層及裸露的玻璃基底上形成緩沖層，并在所述緩沖層上形成U型多晶硅圖案，其中，所述U型多晶硅圖案的兩對邊由行方向相鄰的兩個遮光圖案進行遮光；

對位于顯示區域的所述U型多晶硅圖案進行溝道摻雜處理；

對位于顯示區域的進行溝道摻雜處理之后的所述U型多晶硅圖案進行N+重摻雜處理，用以形成N型雙柵結構晶體管的兩個NMOS溝道及源極區和漏極區，其中，兩個所述NMOS溝道各對應所述U型多晶硅圖案的一個對邊；

在所述NMOS溝道及對應的源極區和漏極區、裸露的緩沖層及非顯示區域的所述U型多晶硅圖案上形成柵絕緣層并蝕刻第一過孔后，在所述柵絕緣層上形成柵極線、所述N型雙柵結構晶體管的源極及輕摻雜區，其中，所述N型雙柵結構晶體管的源極通過所述第一過孔與對應的遮光圖案連接；

對非顯示區域的所述U型多晶硅圖案進行P+重摻雜處理，以形成P型雙柵結構晶體管的兩個PMOS溝道及源極區和漏極區，其中，兩個所述PMOS溝道各對應所述U型多晶硅圖案的一個對邊。

根據本發明的一個實施例，在所述遮光層及裸露的玻璃基底上形成緩沖層，并在所述緩沖層上形成U型多晶硅圖案，進一步包括以下步驟：

在所述遮光層及裸露的玻璃基底上沉積一層緩沖材料以形成緩沖層；

在所述緩沖層上沉積單晶硅材料并進行結晶處理以形成所述U型多晶硅圖案。

根據本發明的一個實施例，在所述NMOS溝道及對應的源極區和漏極區、裸露的緩沖層及非顯示區域的所述U型多晶硅圖案上形成柵絕緣層并蝕刻第一過孔后，在所述柵絕緣層上形成柵極線、所述N型雙柵結構晶體管的源極和漏極及輕摻雜區進一步包括以下步驟：

在所述N型雙柵結構晶體管的兩個NMOS溝道及源極區和漏極區、裸露的緩沖層及非顯示區域的U型多晶硅圖案上沉積一層絕緣材料以形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上對應所述延伸部的位置蝕刻兩個連通至對應遮光圖案的延伸部的第一過孔；