[發明專利]一種制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝及玻璃

在審

• 申請號: 201611223416.5
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106835038A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 張忠義
• 申請（專利權）人: 深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08;C03C17/34;C23C14/56
• 代理公司: 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)11390
• 代理人: 胡劍輝

1.一種制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝，其特征在于，該工藝基于直線式多箱體連續真空鍍膜設備生產線實現，包括有如下步驟：

步驟S1，在玻璃基板(1)上先直流磁控濺射沉積ITO納米膜(2)；

步驟S2，在ITO納米膜(2)上磁控濺射沉積WO3陰極電致變色納米薄膜(3)，該步驟中，直線式多箱體連續真空鍍膜設備生產線的濺射室內，采用兩對WO陶瓷靶材，濺射過程中由氣體質量流量計控制通入濺射室內的反應氣體和濺射粒子進行反應，在ITO納米膜(2)上生成穩定的WO3陰極電致變色納米薄膜。

2.如權利要求1所述的制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝，其特征在于，所述直線式多箱體連續真空鍍膜設備生產線的本底真空度為1.5E-4Pa，切連續抽真空24小時以上。

3.如權利要求1所述的制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝，其特征在于，所述直線式多箱體連續真空鍍膜設備生產線的濺射室內，連續磁控濺射成膜時的工作壓強2-4E-1Pa，并且在濺射室內中充入惰性氣體。

4.如權利要求3所述的制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝，其特征在于，在濺射室內充入的惰性氣體為純度99.999％的高純氬氣。

5.如權利要求1所述的制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝，其特征在于，所述步驟S2中，還需向濺射室內注入反應氣體O2，根據WO3陰極電致變色納米薄膜(3)的厚要求，通過控制氣體O2的流量，令濺射靶材的表面呈金屬態和氧化態之間的過渡態，進而保證濺射過程中氣體O2充分反應以獲得WO3陰極電致變色薄膜，同時又達到預設的沉積速率。

6.如權利要求1所述的制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝，其特征在于，還包括有玻璃基板(1)清洗步驟，用以清洗玻璃基板(1)表面所的雜質。

7.如權利要求6所述的制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝，其特征在于，所述清洗步驟是采用超聲波潔凈技術對玻璃基板進行超純水清洗，超純水系統產出的水質為18MΩ.cm，震蕩頻率為40KHz,震蕩液體的氣蝕能量可將雜質從玻璃基板表面松動下來,以提高玻璃表面的潔凈度。

8.如權利要求1所述的制備電致變色薄膜的中頻雙靶反應濺射工藝，其特征在于，所述直線式多箱體連續真空鍍膜設備生產線包括有依次設置的近片室、近片過渡室、近片緩沖室、中央連續鍍膜室、出片緩沖室、出片過渡室和出片室，各室之間的隔離閥門采用由氣缸驅動的翻板閥門。

9.一種基于WO3電致變色薄膜的玻璃，其特征在于，包括有玻璃基板(1)，所述玻璃基板(1)上利用直流磁控濺射沉積有ITO納米膜(2)，所述ITO納米膜(2)上磁控濺射沉積有WO3陰極電致變色納米薄膜(3)，并利用直線式多箱體連續真空鍍膜設備生產線濺射沉積WO3陰極電致變色納米薄膜(3)，直線式多箱體連續真空鍍膜設備生產線的濺射室內，采用兩對WO陶瓷靶材，濺射過程中由氣體質量流量計控制通入濺射室內的反應氣體和濺射粒子進行反應，在ITO納米膜(2)上生成穩定的WO3陰極電致變色納米薄膜。

10.如權利要求9所述的基于WO3電致變色薄膜的玻璃，其特征在于，所述ITO納米膜(2)的厚度為3nm～25um，所述WO3陰極電致變色納米薄膜(3)的厚度為280nm～300nm。