[發(fā)明專利]一種碲化鎘薄膜太陽能電池吸收層的沉積方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611223290.1
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106653946B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設計）人: 馬立云;彭壽;潘錦功;殷新建;蔣猛
• 申請（專利權）人: 成都中建材光電材料有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0296;C23C14/06;C23C14/24
• 代理公司: 成都市集智匯華知識產權代理事務所(普通合伙) 51237
• 代理人: 李華;溫黎娟

1.一種碲化鎘薄膜太陽能電池吸收層的沉積方法，其特征在于：它以三元組合物CdSe_xTe_1-x作為原材料，利用近空間升華法在具有TCO/CdS薄膜的玻璃襯底上連續(xù)多次沉積CdSe_xTe_1-x，其中CdSe_xTe_1-x的x值為0≤x≤1，除第一次沉積和最后一次沉積的CdSe_xTe_1-x外，其余沉積的CdSe_xTe_1-x中0＜x＜1，所述TCO/CdS薄膜的玻璃襯底上每次沉積的CdSe_xTe_1-x中x值均不相同。

2.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池吸收層的沉積方法，其特征在于：所述近空間升華法的蒸發(fā)源個數與CdSe_xTe_1-x沉積次數匹配。

3.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池吸收層的沉積方法，其特征在于：所述CdSe_xTe_1-x的沉積次數不少于三次。

4.根據權利要求1所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池吸收層的沉積方法，其特征在于：具體包括以下步驟：

(1)準備具有TCO/CdS薄膜的玻璃襯底和數個蒸發(fā)源，每個蒸發(fā)源內的材料為三元組合物CdSe_xTe_1-x，且0≤x≤1；

(2)采用近空間升華法在玻璃襯底上沉積CdSe_xTe_1-x，第一個蒸發(fā)源在玻璃襯底上沉積好第一層CdSe_xTe_1-x后傳至第二個蒸發(fā)源沉積第二層CdSe_xTe_1-x，如此往復，直至傳至最后一個蒸發(fā)源沉積最后一層CdSe_xTe_1-x；所述第一層和最后一層CdSe_xTe_1-x中0≤x≤1，其余各層CdSe_xTe_1-x中0＜x＜1；所述每個蒸發(fā)源中三元組合物CdSe_xTe_1-x的x值均不相同。

5.根據權利要求4所述的一種碲化鎘薄膜太陽能電池吸收層的沉積方法，其特征在于：所述蒸發(fā)源為近空間升華法所使用的蒸發(fā)坩堝。