[發明專利]半導體制造設備及用于處理晶圓的方法

在審

• 申請號: 201611222858.8
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN106971962A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發明（設計）人: 劉信志;黃嘉宏;陳仁仲;曾同慶
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/324
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

技術領域

本發明的實施例涉及半導體領域，更具體地涉及半導體制造設備及用于處理晶圓的方法。

背景技術

本發明通常涉及半導體制造設備。

在半導體制造工藝中，進行若干過程以處理晶圓。在這些過程中，涉及光處理的應用。通常，光處理包括閃光退火(flash annealing)、紫外線(UV)固化以及通過紅外線(IR)加熱等的應用。

發明內容

本發明的實施例提供了一種半導體制造設備，包括：處理室；至少一個反射器，存在于所述處理室中；以及至少一個電磁波發射器件，在所述處理室中存在于所述反射器與晶圓之間，所述電磁波發射器件配置為向所述晶圓發射電磁波光譜，其中，關于所述電磁波光譜，所述反射器具有對于Al₂O₃的相對反射率，并且所述反射器的相對反射率在從70％至120％的范圍內。

本發明的實施例還提供了一種半導體制造設備，包括：處理室；電磁波發射器件，存在于所述處理室中，所述電磁波發射器件配置為向晶圓發射電磁波光譜；以及反射器，存在于所述電磁波發射器件的與所述晶圓相對的側部處，其中，關于所述電磁波光譜，所述反射器具有對于Al₂O₃的相對漫反射率，并且所述反射器的相對漫反射率在從90％至110％的范圍內。

本發明的實施例還提供了一種用于處理晶圓的方法，所述方法包括：發射電磁波光譜，至少一部分所述電磁波光譜到達反射器；以及將到達所述反射器的所述一部分所述電磁波光譜的90.5％至99.9％反射至所述晶圓。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以最佳地理解本發明的各個實施例。應該注意，根據工業中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。

圖1是根據本發明的一些實施例的半導體制造設備的示意圖。

圖2是圖1的反射器的局部放大圖。

圖3是根據本發明的一些其他實施例的半導體制造設備的示意圖。

圖4是根據本發明的又一些其他實施例的半導體制造設備的示意圖。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多不同實施例或實例，用于實現所提供主題的不同特征。以下將描述組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅是實例并且不意欲限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。而且，本發明在各個實例中可以重復參考數字和/或字母。這種重復僅是為了簡明和清楚，其自身并不表示所論述的各個實施例和/或配置之間的關系。

本文中所使用的術語是僅用于描述特定實施例的目的，而不是為了限制本發明。如本文中所使用的，除非上下文清楚地表明，否則單數“一”，“一個”和“所述”旨在也包括復數形式。應當進一步理解，當在本發明中使用術語“包括”和/或“包含”，或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“有”時，指定闡述的部件、區域、整數、步驟、操作、元件、和/或組件的存在，但不排除附加的一個或多個其他部件、區域、整數、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組的存在。

而且，為便于描述，本文可以使用諸如“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...上面”、“上部”等的空間關系術語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關系?？臻g相對術語旨在包括除了附圖中所示的方位之外，在使用中或操作中的器件的不同方位。裝置可以以其他方式定位(旋轉90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空間關系描述符可以同樣地作相應地解釋。

除非另有規定，本文使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有如本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。還應該理解，除非本文清楚地限定，否則，諸如常用的字典中限定的那些的術語應該被理解為具有與其在相關領域和本發明的內容中的意思一致的意思，并且不應該以理想化和過于正式的形式來解釋。