[發明專利]半導體結構

有效

• 申請號: 201611222593.1
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN107026183B
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 李昇展;黃志輝;蔡正原;杜友倫
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體結構，包括：

襯底；

輻射感測區域，位于所述襯底中，所述輻射感測區域包括多個輻射感測單元；

溝槽，位于所述襯底中，分離所述輻射感測單元中的至少兩個，其中所述溝槽包括：

位于所述溝槽的內壁上方的襯墊；

位于所述襯墊上方的摻氟硅酸鹽玻璃(FSG)層，其中所述摻氟硅酸鹽玻璃層包含至少2原子百分比的游離氟和從500至1300埃的厚度；

位于所述摻氟硅酸鹽玻璃層上方的氧化物層；和

位于所述氧化物層上方的反射材料。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述溝槽包括從0.15μm至0.3μm的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述溝槽的高寬比在從1.5到10的范圍內。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述反射材料是包括鎢、鋁、銅或它們的任意組合的導電材料。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述襯墊是由HfO₂、Al₂O₃、TiO₂、HfZrO、Ta₂O₃、Ta₂O₅、HfSO₄、ZrO₂、ZrSiO₂和稀土氧化物的至少一種組成的高k介電層。

6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中，所述襯墊包括從至的厚度。

7.根據權利要求6所述的半導體結構，其中，所述摻氟硅酸鹽玻璃層將所述襯墊與所述氧化物層分離。

8.一種圖像傳感器，包括：

襯底，包括前表面和后表面；

輻射感測區域，靠近所述襯底的所述后表面，其中所述輻射感測區域包括多個輻射感測單元；

多個溝槽隔離結構，靠近所述襯底的所述后表面，其中所述多個溝槽隔離結構的每個將所述輻射感測單元中的至少兩個分離并且包括：

位于所述襯底的所述后表面上的溝槽；

位于所述后表面和所述溝槽的內壁上方的襯墊；

位于所述襯墊上方的摻氟硅酸鹽玻璃(FSG)層，其中所述摻氟硅酸鹽玻璃層包括至少2原子百分比的游離氟；

位于所述摻氟硅酸鹽玻璃層上的氧化物層；和

位于所述溝槽中且位于所述氧化物層上方的反射材料；

抗反射涂層，位于所述輻射感測區域上方；以及

多個濾色器，位于所述抗反射涂層上方。

9.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其中，所述摻氟硅酸鹽玻璃層具有在從500埃至1300埃的范圍內的厚度。

10.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其中，所述摻氟硅酸鹽玻璃層將所述襯墊與所述氧化物層分離。

11.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其中，所述襯墊是由HfO₂、Al₂O₃、TiO₂、HfZrO、Ta₂O₃、Ta₂O₅、HfSO₄、ZrO₂、ZrSiO₂和稀土氧化物的至少一種組成的高k介電層。

12.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中，所述襯墊包括從至的厚度。

13.根據權利要求8所述的圖像傳感器，其中，所述溝槽包括從1μm至3μm的深度。