[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611222541.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107293640B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃偉杰;陳界璋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10N50/01
• 分類(lèi)號(hào): H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在設(shè)置在襯底上的第一材料層中形成具有錐形輪廓的開(kāi)口，其中，所述開(kāi)口的上部寬度大于所述開(kāi)口的底部寬度；

在所述開(kāi)口中形成第二材料層；

形成硬掩模以覆蓋部分所述第二材料層，其中，所述硬掩模與所述開(kāi)口對(duì)準(zhǔn)，其中，所述硬掩模的寬度小于所述開(kāi)口的上部寬度；

通過(guò)使用所述硬掩模作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻所述第二材料層以形成所述第二材料層的具有錐形輪廓的導(dǎo)電部件，使得所述導(dǎo)電部件的上部在遠(yuǎn)離所述襯底的方向上從第一寬度逐漸減小至小于所述第一寬度的第二寬度，所述導(dǎo)電部件的下部從所述上部延伸并且在朝向所述襯底的方向上從所述第一寬度逐漸減小至小于所述第一寬度的第三寬度；

在蝕刻所述第二材料層后，在所述導(dǎo)電部件的上部和所述第一材料層上方形成第三材料層；以及

使所述第三材料層和所述硬掩模凹進(jìn)以提供所述導(dǎo)電部件的上部的平坦化的頂面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述第一材料層中形成具有錐形輪廓的所述開(kāi)口包括：

在所述第一材料層上方形成圖案化的光刻膠層；以及

通過(guò)所述圖案化的光刻膠層蝕刻所述第一材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在蝕刻所述第二材料層期間，所述第一材料層用作蝕刻停止層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過(guò)使用所述硬掩模作為蝕刻掩模在所述第一材料層之上蝕刻所述第二材料層以形成所述導(dǎo)電部件的上部之后，所述開(kāi)口內(nèi)的保留的第二材料層形成所述導(dǎo)電部件的下部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一材料層包括氮氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二材料層包括導(dǎo)電層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述導(dǎo)電部件的上部包括底電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括：

在所述底電極上方形成存儲(chǔ)堆疊件；

在所述存儲(chǔ)堆疊件上方形成頂電極；以及

沿著所述存儲(chǔ)堆疊件和所述頂電極的側(cè)壁形成間隔件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在所述底電極上方形成所述存儲(chǔ)堆疊件包括：

在所述底電極上方形成存儲(chǔ)膜堆疊件；以及

圖案化所述存儲(chǔ)膜堆疊件。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述存儲(chǔ)堆疊件上方形成所述頂電極包括：

在所述存儲(chǔ)膜堆疊件上方形成第二導(dǎo)電層；

在所述第二導(dǎo)電層上方形成圖案化的光刻膠層；以及

通過(guò)所述圖案化的光刻膠層蝕刻所述第二導(dǎo)電層和所述存儲(chǔ)膜堆疊件。

11.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供具有第一導(dǎo)電部件的襯底；

形成具有錐形開(kāi)口的第一蝕刻停止層，其中，所述錐形開(kāi)口的上部寬度大于所述錐形開(kāi)口的底部寬度，所述錐形開(kāi)口與所述第一導(dǎo)電部件對(duì)準(zhǔn)，其中，在所述錐形開(kāi)口內(nèi)暴露部分所述第一導(dǎo)電部件；

在所述錐形開(kāi)口中形成第一導(dǎo)電層并且所述第一導(dǎo)電層延伸至所述第一蝕刻停止層之上；

在所述第一導(dǎo)電層上方形成硬掩模芯軸，其中，所述硬掩模芯軸與所述錐形開(kāi)口對(duì)準(zhǔn)，其中，所述硬掩模芯軸的寬度小于所述錐形開(kāi)口的頂部處的寬度；

通過(guò)使用所述硬掩模芯軸作為蝕刻掩模來(lái)蝕刻所述第一導(dǎo)電層以形成具有錐形輪廓的底電極；

在所述第一蝕刻停止層上方形成第二蝕刻停止層；

在所述底電極和所述第二蝕刻停止層上方形成存儲(chǔ)堆疊件；以及

在所述存儲(chǔ)堆疊件上方形成頂電極。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成具有所述錐形開(kāi)口的所述第一蝕刻停止層包括：

在所述第一蝕刻停止層上方形成圖案化的光刻膠層；以及

通過(guò)所述圖案化的光刻膠層蝕刻所述第一蝕刻停止層。