[發明專利]指數摻雜GaN紫外光電陰極材料結構在審
| 申請號： | 201611222230.8 | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108242377A | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發明（設計）人： | 王曉輝 | 申請（專利權）人： | 成都瑩鑫?？萍加邢薰?/a> |
| 主分類號： | H01J1/34 | 分類號： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電發射層 指數摻雜 紫外光電陰極材料 摻雜的 發射層 激活層 襯底 紫外光電陰極 紫外靈敏度 電子發射 量子效率 外延生長 光激發 前表面 吸附 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種指數摻雜GaN紫外光電陰極材料結構，其特征在于，該材料結構自下而上依次為襯底層、非故意摻雜的AlN緩沖層、p型指數摻雜GaN光電發射層以及Cs或Cs/O激活層。
2.根據權利要求1所述的指數摻雜GaN紫外光電陰極材料結構，其特征在于，所述襯底層為雙面拋光的藍寶石。
3.根據權利要求1所述的指數摻雜GaN紫外光電陰極材料結構，其特征在于，所述非故意摻雜的AlN緩沖層外延生長在襯底上，厚度在10-200nm之間。
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