[發(fā)明專利]一種Delta摻雜GaN光電陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611222227.6 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108242376A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王曉輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 成都瑩鑫海科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J1/34 | 分類號(hào)： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電陰極結(jié)構(gòu) 制備 光電陰極材料 摻雜元素 光電探測(cè) 光電陰極 內(nèi)建電場(chǎng) 紫外響應(yīng) 熱退火 晶格 擴(kuò)散 保證 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
1.一種Delta摻雜GaN光電陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法，特征在于：結(jié)構(gòu)包括Delta摻雜GaN光電陰極材料結(jié)構(gòu)，自下而上由藍(lán)寶石襯底、AlN或AlGaN緩沖層、p型Delta摻雜的GaN發(fā)射層、以及Cs/O激活層組成。
2.在超高真空激活系統(tǒng)中對(duì)上述GaN材料表面進(jìn)行Cs/O吸附，形成Cs/O激活層，從而降低GaN材料的功函數(shù)，達(dá)到負(fù)電子親和勢(shì)表面，完成Delta摻雜結(jié)構(gòu)的GaN紫外光電陰極制備過(guò)程。
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