[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光元件及電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611221800.1 | 申請日: | 2014-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN106848074B | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 荻原俊成;吉田圭;橋本亮平;水木由美子 | 申請(專利權)人: | 出光興產(chǎn)株式會社 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;C07D235/08;C07D307/91;C07D403/14;C07D405/14;C07D487/14 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 洪秀川 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 元件 電子設備 | ||
1.一種有機電致發(fā)光元件,其包含陽極、發(fā)光層、和陰極,
所述發(fā)光層包含第一材料、第二材料和第三材料,
所述第一材料為熒光發(fā)光性的發(fā)光材料,
所述第二材料為遲滯熒光發(fā)光性的材料,
所述第三材料的單重態(tài)能量大于所述第二材料的單重態(tài)能量,
所述第二材料的單重態(tài)能量大于所述第一材料的單重態(tài)能量,
所述第二材料的77[K]下的能隙Eg77K(M2)大于所述第一材料的77[K]下的能隙Eg77K(M1),
所述第三材料的77[K]下的能隙Eg77K(M3)大于所述第二材料的77[K]下的能隙Eg77K(M2),
所述第一材料由下述通式(10)表示,
所述通式(10)中,AD為取代或無取代的成環(huán)碳原子數(shù)為12~50的芳香族烴基,BD為下述通式(11)所示的基團,pa為1以上且4以下的整數(shù),pb為0以上且4以下的整數(shù),
所述通式(11)中,Ar1、Ar2和Ar3分別獨立地為選自取代或無取代的成環(huán)碳原子數(shù)為6~50的芳香族烴基、取代或無取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、取代或無取代的烯基、取代或無取代的炔基、和取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~50的雜環(huán)基中的取代基,
pc為0以上且4以下的整數(shù),波浪線部分表示與所述AD表示的芳香族烴基的鍵合部位,
所述通式(10)和(11)中,在AD有多個時相互相同或不同,在BD有多個時相互相同或不同,在Ar1有多個時相互相同或不同,在Ar2有多個時相互相同或不同,在Ar3有多個時相互相同或不同,在pc有多個時相互相同或不同,
所述77[K]下的能隙Eg77K為:
對于測定試樣,在低溫即77[K]下測定磷光光譜,縱軸為磷光發(fā)光強度,橫軸為波長,對該磷光光譜的短波長側的上升引出切線,基于該切線與橫軸的交點的波長值λedge,由下面的換算式1算出的能量,
換算式1:Eg77K=1239.85/λedge
所述λedge的單位為nm,所述Eg77K的單位為eV。
2.一種有機電致發(fā)光元件,其包含陽極、發(fā)光層、和陰極,
所述發(fā)光層包含第一材料、第二材料和第三材料,
所述第一材料為熒光發(fā)光性的發(fā)光材料,
所述第二材料為遲滯熒光發(fā)光性的材料,
所述第三材料的單重態(tài)能量大于所述第二材料的單重態(tài)能量,
所述第一材料由下述通式(10)表示,
所述通式(10)中,AD為取代或無取代的成環(huán)碳原子數(shù)為12~50的芳香族烴基,BD為下述通式(11)所示的基團,pa為1以上且4以下的整數(shù),pb為1以上且4以下的整數(shù),
所述通式(11)中,Ar1、Ar2和Ar3分別獨立地為選自取代或無取代的成環(huán)碳原子數(shù)為6~50的芳香族烴基、取代或無取代的碳原子數(shù)為1~50的烷基、取代或無取代的烯基、取代或無取代的炔基、和取代或無取代的成環(huán)原子數(shù)為5~50的雜環(huán)基中的取代基,
pc為0以上且4以下的整數(shù),波浪線部分表示與所述AD表示的芳香族烴基的鍵合部位,
所述通式(10)和(11)中,在AD有多個時相互相同或不同,在BD有多個時相互相同或不同,在Ar1有多個時相互相同或不同,在Ar2有多個時相互相同或不同,在Ar3有多個時相互相同或不同,在pc有多個時相互相同或不同,
需要說明的是,所述第一材料并非
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





