[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201611221504.1
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN107017158A
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 北山純一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/78;H01L29/41
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 申發振

1.一種半導體裝置的制造方法，包括以下步驟：

(a)在具有多個芯片區的襯底的表面側上形成元件；

(b)在劃分所述芯片區的邊界區中形成槽；

(c)從所述襯底的背部側將所述襯底研磨到所述槽；以及

(d)在步驟(c)中被分離的所述襯底的背部上形成背部電極。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

其中，在所述襯底的表面朝上來看時，在步驟(b)中形成的所述槽的截面形狀包括倒錐形，并且

其中在步驟(c)中，所述芯片區被分離成多個半導體芯片。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，

其中，在所述襯底的所述表面朝上來看時，所述槽的所述截面形狀是倒梯形或倒三角形。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，

其中，當注意到在步驟(c)中被分離的所述多個半導體芯片中彼此相鄰的第一半導體芯片和第二半導體芯片時，所述第一半導體芯片的背部與所述第二半導體芯片的背部之間的距離小于所述第一半導體芯片的元件形成面與所述第二半導體芯片的元件形成面之間的距離。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，

其中，在步驟(d)中，在相應的所述半導體芯片上形成的所述背部電極彼此分離。

6.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，在步驟(d)之后進一步包括擴張步驟，所述擴張步驟擴寬所述半導體芯片之間的間隙，

其中，在步驟(d)中在相應的所述半導體芯片上形成的所述背部電極連續的情況下，通過所述擴張步驟，在相應的所述半導體芯片上形成的所述背部電極被彼此分離。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，在步驟(c)之后并且在步驟(d)之前進一步包括加工應變移除步驟，所述加工應變移除步驟移除在所述分離的襯底的所述背部和所述槽的側面上形成的加工應變。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述加工應變移除步驟使用等離子體處理。

9.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，

其中，傾斜角度大于或等于25°并且小于或等于85°，所述傾斜角度是所述槽的側面與所述背部之間的角度。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

其中所述元件是功率晶體管。

11.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

其中，在所述襯底的所述表面朝上來看時，步驟(b)中形成的所述槽的截面形狀包括倒錐形和垂直形狀，所述垂直形狀與所述襯底的所述表面垂直。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置的制造方法，

其中，傾斜角度大于或等于10°并且小于或等于40°，所述傾斜角度是所述槽的側面與所述背部之間的角度。

13.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，

其中，在步驟(b)中形成的所述槽的截面形狀由垂直形狀部配置，所述垂直形狀部與所述襯底的表面垂直，

其中在步驟(c)中，所述芯片區被彼此分離成多個半導體芯片，

其中所述半導體裝置的制造方法在步驟(d)之后進一步包括擴張步驟，所述擴張步驟擴寬所述半導體芯片之間的間隙，并且

其中在步驟(c)中被分離的相應的所述半導體芯片通過在相應的所述半導體芯片的背部上形成的所述背部電極被互相耦接，并且在此之后通過所述擴張步驟被彼此分離。