[發明專利]OLED顯示器在審
| 申請號: | 201611221433.5 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106783922A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 李先杰 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED顯示器。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器是一種極具發展前景的平板顯示技術,它具有自發光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗及可實現柔性顯示等特性,被譽為“夢幻顯示器”。目前OLED顯示器得到了各大顯示器廠家的青睞,并成為繼陰極射線顯像管(Cathode Ray Tube,CRT)顯示器與液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)之后的第三代顯示器。
目前,OLED顯示器在手機、平板電腦等設備中使用的比例越來越高。其主要技術路線是紅綠藍(Red、Green、Blue,RGB)三基色發光,用精細金屬掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)制備紅綠藍三個子像素并排(Side by Side,SBS)式OLED顯示器。但是隨著市場對分辨率要求越來越高,受FMM精度限制,這種技術路線也顯得越來越力不從心。
另外一種實現全彩顯示的方法是白光OLED+RGB濾光片(Color Filter,CF)技術。由于利用到了成熟的CF技術,不受FMM精度限制,因此可用于制備高分辨率OLED顯示器。但是,這種方式獲得的三原色飽和度較低,顯示器色域不夠廣(NTSC色域<90%)。
還有一種實現全彩的方案是基于藍光OLED,并借助綠光與紅光色彩轉換方法(Color conversion method,CCM),由藍光激發紅綠光材料使其發光而得到紅綠藍三基色,實現彩色顯示。但目前CCM材料多為有機熒光材料,色純度低,顯示器色域不夠廣(NTSC色域<90%)。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED顯示器,制作工藝簡單,具有分辨率高、色域廣、光效好、穩定性高的良好性能。
為實現上述目的,本發明提供了一種OLED顯示器,包括基板、形成于所述基板上的薄膜晶體管層、形成于所述薄膜晶體管層上的藍光OLED、設于所述藍光OLED上方并與所述基板相貼合的蓋板、及形成于所述蓋板內側的色彩轉換層;
所述藍光OLED包括由下至上依次層疊設置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、藍光發光層、電子傳輸層、電子注入層、及陰極;
所述色彩轉換層包括數個間隔設置的紅色轉換單元、及綠色轉換單元;
所述藍光發光層發射的藍光,分別經由所述紅色轉換單元轉換成為紅光射出,經由所述綠色轉換單元轉換成為綠光射出,透過所述蓋板直接射出,從而實現彩色顯示;
所述紅色轉換單元、綠色轉換單元的材料均為有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料。
所述有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料的結構式為CH3NH3PbA3,其中,A為Cl、Br、I中的一種元素或多種元素的組合。
所述紅色轉換單元、綠色轉換單元的材料均為有機金屬鹵化物鈣鈦礦材料中的一種或多種的組合;
所述紅色轉換單元、綠色轉換單元均為單層、或多層結構;
所述紅色轉換單元、綠色轉換單元的膜厚均為10nm-200nm。
所述紅色轉換單元的材料為CH3NH3Pb(I0.9Br0.1)3,所述綠色轉換單元的材料為CH3NH3PbBr3。
所述藍光發光層的材料由主體材料摻雜客體材料制成,其中,所述主體材料與客體材料的摻雜質量比為1:0.01-1;
所述客體材料為藍光有機熒光材料,所述主體材料為蒽類衍生物、或寬帶隙有機材料;或者,
所述客體材料為藍光有機磷光材料,所述主體材料為寬帶隙有機材料。
所述基板與蓋板的材料均為玻璃、或柔性材料。
所述陽極為不透光的反射型陽極,其包括兩導電氧化物層、及夾于兩導電氧化物層之間的一反射金屬層,其中,所述反射金屬層的膜厚為50nm-200nm;所述導電氧化物層的膜厚為10nm-50nm。
所述陰極為透光的透明陰極;所述陰極的材料為低功函數金屬、或低功函數金屬的合金,膜厚為10nm-20nm;或者,
所述陰極的材料為導電氧化物,膜厚為10nm-200nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





