[發明專利]一種改善離子注入監控的方法

在審

• 申請號: 201611220060.X
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106783687A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 杜龍歡;唐云;孫小虎;羅湘;譚燦健
• 申請（專利權）人: 株洲中車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

1.一種改善離子注入監控的方法，其特征在于，包括：

對監控片進行氧化，在所述監控片的表面生長氧化層；

對表面具有所述氧化層的監控片進行離子注入；

對離子注入后的所述監控片進行雜質激活退火；

去除退火后的所述監控片表面的氧化層；

測量所述監控片的方塊電阻。

2.如權利要求1所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為10nm～1μm。

3.如權利要求2所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，所述氧化層的厚度的均勻性小于0.5％。

4.如權利要求1所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，所述對離子注入后的所述監控片進行雜質激活退火，包括：

對完成離子注入的所述監控片采用水平爐管或快速熱處理設備進行雜質激活退火，退火溫度為900℃～1150℃，退火時間為10s～30min，退火氣氛為在N₂、O₂或N₂與O₂的混合氣體下進行退火。

5.如權利要求1所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，所述去除退火后的所述監控片表面的氧化層，包括：

采用緩沖氧化硅腐蝕液或HF溶液去除所述氧化層，所述緩沖氧化硅腐蝕液為NH₄F和HF的混合液，NH₄F和HF的體積比為7:1。

6.如權利要求5所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，采用所述緩沖氧化硅腐蝕液或所述HF溶液去除所述氧化層的時間大于2min。

7.如權利要求1所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，在所述去除退火后的所述監控片表面的氧化層和所述測量所述監控片的方塊電阻之間，還包括：

對所述監控片進行清洗。

8.如權利要求7所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，所述對所述監控片進行清洗，包括:

用去離子水對所述監控片清洗2min～10min；

用H₂O₂與NH₄OH的混合溶液對所述監控片進行清洗1min～5min；

去離子水對所述監控片清洗2min～10min。

9.如權利要求1所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，所述測量所述監控片的方塊電阻，包括:

采用四探針測量所述監控片的方塊電阻。

10.如權利要求9所述的改善離子注入監控的方法，其特征在于，所述采用四探針測量所述監控片的方塊電阻，包括：

選取所述監控片的至少5個不同位置的測量點測量所述監控片的方塊電阻。