[發明專利]一種DARC薄膜的低溫沉積方法

在審

• 申請號: 201611219771.5
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106783546A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 張高升;曾慶鍇;胡淼龍;蔣志超;萬先進
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/50;C23C16/30
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種DARC薄膜的低溫沉積方法，適用于在晶元表面最上方的BARC層上形成DARC層；其特征在于，提供一等離子體增強化學氣相沉積反應器，所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內設有反應基座，所述反應基座用于承載所述晶元，所述方法包括：

步驟S1、向所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內輸入用于生成所述DARC層的反應物；

步驟S2、所述晶元在所述反應基座上按照第一預設參數進行預沉積操作；

步驟S3、在完成所述預沉積操作后的所述晶元表面按照第二預設參數進行主沉積操作；

步驟S4、在完成所述主沉積操作的所述晶元表面按照第三預設參數進行后沉積操作以形成所述DARC層。

2.根據權利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述反應物包括SiH4氣體、N2O氣體以及N2氣體。

3.根據權利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述第一預設參數包括：

所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內的溫度為210℃；

所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內的壓強為1.7Torr；

所述預沉積操作的時間為1S；

高頻功率源的功率值為594W；

反應物SiH4氣體的流速為720sccm；

反應物N2O氣體的流速為400sccm；

反應物N2氣體的流速為8800sccm。

4.根據權利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述第二預設參數包括：

所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內的溫度為210℃；

所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內的壓強為1.7Torr；

所述主沉積操作的時間為2.91S；

高頻功率源的功率值為594W；

反應物SiH4氣體的流速為720sccm；

反應物N2O氣體的流速為400sccm；

反應物N2氣體的流速為8800sccm。

5.根據權利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述第三預設參數包括：

所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內的溫度為210℃；

所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內的壓強為1Torr；

所述后沉積操作的時間為3.5S；

高頻功率源的功率值為594W；

反應物SiH4氣體的流速為720sccm；

反應物N2O氣體的流速為400sccm；

反應物N2氣體的流速為8800sccm。

6.根據權利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積反應器上設有第一輸入口和第一輸出口，所述第一輸入口用于輸入所述反應物，所述第一輸出口用于輸出DARC薄膜生成過程中產生的副產物。

7.根據權利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積反應器上設有第二輸入口和第二輸出口，所述第二輸入口用于輸入所述晶元，所述第二輸出口用于輸出所述晶元。

8.一種DARC薄膜的低溫沉積方法，適用于在晶元表面的BARC層上形成DARC層；其特征在于，提供一等離子體增強化學氣相沉積反應器，所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內設有復數個所述反應基座，所述方法包括：

步驟A1、將所述晶元順序輸送至每個所述反應基座并在在每個所述反應基座上分別進行所述權利要求1-7中所述的沉積方法以形成所述DARC層。

9.根據權利要求8所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積反應器內的所述反應基座的數量為四個，且所述四個反應基座均勻布設在所述等離子體增強化學氣相沉積反應器的中心周圍，且兩兩所述反應基座之間關于所述等離子體增強化學氣相沉積反應器的中心呈中心對稱分布。

10.根據權利要求9所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述晶元在每個所述反應基座上的沉積時間相同。