[發明專利]一種光學膜及其制作方法有效
| 申請號: | 201611219228.5 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106772747B | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發明(設計)人: | 郭濱剛 | 申請(專利權)人: | 深圳市光科全息技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B5/26 | 分類號: | G02B5/26 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區粵*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光學 及其 制作方法 | ||
1.一種光學膜,用于反射某波段的光,其特征在于,包括:基底、交替設置于所述基底上的介質層和顆粒層;所述顆粒層包括多個顆粒,所述顆粒間距的取值范圍為至所述介質層的光學厚度的取值范圍為至且所述顆粒層的折射率大于或小于所述介質層的折射率,其中,λ1和λ2分別為第一波段光的中心波長和第二波段光的中心波長,所述光學膜可同時對中心波長為λ 1 的第一波段光和中心波長為λ2的第二波段光進行強反射,不對所述第一波段光和所述第二波段光附近的波段光產生影響。
2.根據權利要求1所述的光學膜,其特征在于,所述第一波段光的中心波長λ1與第二波段光的中心波長λ2相等。
3.根據權利要求1所述的光學膜,其特征在于,接觸所述基底的一層為所述顆粒層,遠離所述基底的最外層為所述顆粒層或所述介質層。
4.根據權利要求1所述的光學膜,其特征在于,接觸所述基底的一層為所述介質層,遠離所述基底的最外層為所述顆粒層或所述介質層。
5.根據權利要求1所述的光學膜,其特征在于,所述顆粒的直徑小于
6.根據權利要求5所述的光學膜,其特征在于,所述第一波段光的中心波長λ1和第二波段光的中心波長λ2的取值范圍為100納米至2000微米。
7.根據權利要求1所述的光學膜,其特征在于,所述顆粒和所述介質層所采用的材料包括氧化鎂、氧化釔、硫化鋅、硒化鋅、砷化鎵、氟化鎂、氟化鈣、氧化鋁、SiOx、TiOx和/或NbOx。
8.根據權利要求1所述的光學膜,其特征在于,所述基底包括金屬基底、玻璃基底、石英基底、橡膠基底或塑料基底。
9.一種光學膜的制作方法,其特征在于,包括:
一基底,以及
在所述基底上交替制作的介質層和顆粒層;所述顆粒層包括多個顆粒,所述顆粒間距的取值范圍為至所述介質層的光學厚度的取值范圍為至且所述顆粒層的折射率大于或小于所述介質層的折射率,其中,λ1和λ2分別為第一波段光的中心波長和第二波段光的中心波長,所述光學膜可同時對中心波長為λ1的第一波段光和中心波長為λ2的第二波段光進行強反射,不對所述第一波段光和所述第二波段光附近的波段光產生影響。
10.根據權利要求9所述的光學膜的制作方法,其特征在于,所述交替制作的介質層和顆粒層所采用的方法包括真空成膜工藝、溶膠-凝膠薄膜成膜工藝和/或自組織薄膜成膜工藝;其中,所述真空成膜工藝包括物理/化學氣相沉積、蒸發鍍膜、磁控濺射鍍膜、離子鍍和外延生長;所述顆粒間距的精度誤差不大于所述顆粒間距的5%;所述光學厚度的精度誤差不大于所述光學厚度的5%。
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