[發明專利]底發光型OLED顯示單元及其制作方法有效
| 申請號: | 201611217655.X | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN106847861B | 公開(公告)日: | 2020-05-05 |
| 發明(設計)人: | 余威 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 oled 顯示 單元 及其 制作方法 | ||
1.一種底發光型OLED顯示單元,包括透明基底,在所述透明基底上設置有多個用于構成驅動電路的薄膜晶體管結構,在所述薄膜晶體管結構的上方設置有層間絕緣層與平坦層,在所述層間絕緣層與所述平坦層之間設置有光導出層,所述光導出層被配置為使投射到其表面上的光發生偏轉,以避開所述薄膜晶體管結構對光的遮擋,所述光導出層包括光直射區域與光折射區域,且所述光折射區域位于所述光直射區域的周邊位置,所述光直射區域設置在與多個薄膜晶體管結構之間的空隙相對應的區域內,所述光折射區域設置在所述薄膜晶體管結構的上方區域內,所述光直射區域具有平行于所述平坦層的表面,所述光折射區域具有相對于所述平坦層傾斜的表面,用于制作所述光導出層的材料的光透過率大于或者等于用于制作所述平坦層的材料的光透過率,其中,照射所述光直射區域的光,其光路不發生變化或不發生顯著變化;照射所述光折射區域的光,其光路發生顯著變化。
2.根據權利要求1所述的顯示單元,其特征在于,所述光直射區域與所述光折射區域均具有弧形的表面。
3.根據權利要求1所述的顯示單元,其特征在于,所述光導出層采用有機材料或無機材料制作。
4.一種用于制作底發光型OLED顯示單元的方法,包括:在透明基底上形成多個用于構成驅動電路的薄膜晶體管結構;
在所述薄膜晶體管結構的上方形成層間絕緣層;
在所述層間絕緣層的上方形成材料層;
圖案化所述材料層,以形成光導出層,所述光導出層包括光直射區域與光折射區域,且所述光折射區域位于所述光直射區域的周邊位置,所述光直射區域設置在與多個薄膜晶體管結構之間的空隙相對應的區域內,所述光折射區域設置在所述薄膜晶體管結構的上方區域內,所述光直射區域具有平行于平坦層的表面,所述光折射區域具有相對于所述平坦層傾斜的表面,用于制作所述光導出層的材料的光透過率大于或者等于用于制作所述平坦層的材料的光透過率,其中,照射所述光直射區域的光,其光路不發生變化或不發生顯著變化;照射所述光折射區域的光,其光路發生顯著變化;
在所述光導出層的上方形成平坦層。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,采用灰階光罩來圖案化所述材料層,以形成所述光導出層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





