[發明專利]一種埋藏型金屬柵格生成方法及圖像傳感器制造方法

在審

• 申請號: 201611217440.8
• 申請日: 2016-12-26
• 公開（公告）號: CN106856202A
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發明（設計）人: 王三坡;占瓊;孫鵬
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司11212
• 代理人: 楊立,陳振玉

1.一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，對半導體基底上部待生成金屬柵格區進行光刻，以在所述待生成金屬柵格區形成基底層材質柵格；

步驟2，在所述基底層材質柵格的側壁生成金屬膜層，以生成金屬柵格。

2.根據權利要求1所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述步驟2包括如下步驟：

步驟21，在光刻后的半導體基底的上表面使用汽相沉積工藝生成金屬膜層；

步驟22，將具有所述金屬膜層的半導體基底的上表面暴露于蝕刻劑下，以去除所述基底層材質柵格的側壁以外的其它部位處的所述金屬膜層，保留所述基底層材質柵格的側壁處的所述金屬膜層，以生成金屬柵格。

3.根據權利要求2所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述汽相沉積工藝為化學汽相沉積或物理汽相沉積。

4.根據權利要求2所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述金屬膜層的材質為氮化鈦、氮化鉭或鎢。

5.根據權利要求2所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述蝕刻劑為干蝕刻劑或濕蝕刻劑。

6.根據權利要求5所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，其特征在于，所述干蝕刻劑為氧、氮、氫、氬和氟類中的一種或多種的蝕刻化學物；所述濕蝕刻劑為氟氫酸。

7.一種圖像傳感器制造方法，其特征在于，采用權利要求1至6任一所述一種埋藏型金屬柵格生成方法，在圖像傳感器的像素陣列區生成埋藏型金屬柵格。