[發(fā)明專利]圖像傳感器及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611217129.3 | 申請日: | 2016-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN107026182B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 魏嘉余;蕭晉勛;邱柏鈞;鄭宇軒;許永隆;陳信吉;鄭靜玲 | 申請(專利權(quán))人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明實施例提供了一種圖像傳感器,包括襯底、溝槽隔離件、多個圖像感測單元、至少一個相位檢測單元,以及互連層。溝槽隔離件在襯底中,以及襯底的多個有源區(qū)通過溝槽隔離件彼此分隔。圖像感測單元和至少一個相位檢測單元在布置為陣列的有源區(qū)中,以及至少一個相位檢測單元的感測面積比圖像感測單元的每個的感測面積小。互連層設(shè)置在圖像感測單元和至少一個相位檢測單元上。此外,還提提供了圖像傳感器的制造方法。本發(fā)明實施例涉及圖像傳感器及其制造方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例涉及圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)
與電荷耦合器件(CCD)傳感器相比,CMOS圖像傳感器具有很多優(yōu)勢,諸如低電壓操作、低功耗、與邏輯電路的兼容性、隨機存取和低成本。在CMOS圖像傳感器中,廣泛使用相位檢測自動對焦(PDAF)CMOS圖像傳感器。PDAF CMOS圖像傳感器使光電二極管與金屬柵格(設(shè)置在光電二極管上)相適應(yīng)以補償相位檢測,由此實現(xiàn)對焦功能。
用于相鄰的光電二極管的電流隔離方法主要是注入隔離。然而,注入隔離不足以消除相鄰的光電二極管之間的串擾,從而降低PDAF CMOS圖像傳感器的敏感度。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,提供了一種一種圖像傳感器,包括:襯底;溝槽隔離件,位于所述襯底中,其中,所述襯底的多個有源區(qū)通過所述溝槽隔離件彼此分隔;多個圖像感測單元;至少一個相位檢測單元,其中,所述圖像感測單元和所述至少一個相位檢測單元位于布置為陣列的所述有源區(qū)中,以及所述至少一個相位檢測單元的感測面積小于所述圖像感測單元的每個的感測面積;以及互連層,設(shè)置在所述圖像感測單元和所述至少一個相位檢測單元上。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例,還提供了一種圖像傳感器,包括:襯底;溝槽隔離件,位于所述襯底中,其中,所述襯底的多個有源區(qū)通過所述溝槽隔離件彼此分隔;多個圖像感測單元;至少一個相位檢測單元,其中,所述圖像感測單元和所述至少一個相位檢測單元位于布置為陣列的所述有源區(qū)中;屏蔽柵格層,所述屏蔽柵格層包括多個屏蔽柵格圖案,所述屏蔽柵格圖案設(shè)置在所述溝槽隔離件上從而使得所述屏蔽柵格圖案完全屏蔽圍繞所述圖像感測單元的所述溝槽隔離件以及部分地屏蔽圍繞所述至少一個相位檢測單元的所述溝槽隔離件;以及互連層,設(shè)置在所述圖像感測單元和所述至少一個相位檢測單元上。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施例,還提供了一種制造圖像傳感器的方法,包括:提供具有多個彼此分隔的有源區(qū)的襯底;在所述有源區(qū)中形成多個圖像感測單元和至少一個相位檢測單元,其中,所述圖像感測單元的每個的尺寸大于所述至少一個相位檢測單元的尺寸;在所述襯底上形成互連層;在兩個相鄰的所述有源區(qū)之間形成溝槽隔離件;圖案化屏蔽材料層以在與所述互連層相對的所述襯底上方形成屏蔽柵格層。
附圖說明
當結(jié)合附圖進行閱讀時,從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)當注意,根據(jù)工業(yè)中的標準實踐,各個部件并非按比例繪制。事實上,為了清楚討論,各個部件的尺寸可以任意增大或減小。
圖1是根據(jù)一些實施例的制造圖像傳感器的方法的流程圖。
圖2A至圖2J是根據(jù)一些實施例示出了圖像傳感器的制造工藝的截面圖。
圖3是圖2E的圖像傳感器區(qū)的透視頂視圖。
具體實施方式
下列公開提供了許多用于實現(xiàn)所提供主題的不同特征的不同實施例或?qū)嵗O旅鎸⒚枋鲈筒贾玫奶囟▽嵗院喕景l(fā)明。當然這些僅僅是實例并不旨在限定本發(fā)明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例,也可以包括在第一部件和第二部件之間形成額外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。而且,本發(fā)明在各個實例中可重復參考數(shù)字和/或字母。這種重復僅是為了簡明和清楚,其自身并不表示所論述的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





