[發(fā)明專(zhuān)利]基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611217101.X
• 申請(qǐng)日: 2016-12-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106783585A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶志波;劉杰;李全寶;安少華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州工業(yè)園區(qū)納米產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/311
• 代理公司: 南京利豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)32256
• 代理人: 王鋒

1.一種基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法包括如下步驟：

S1.在所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域沉積一層過(guò)渡層薄膜；

S2.對(duì)所述過(guò)渡層薄膜進(jìn)行刻蝕，刻蝕至所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕停止層；

S3.在所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域沉積刻蝕層；

S4.在所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的刻蝕層上制作圖形結(jié)構(gòu)層；

S5.刻蝕去除所述刻蝕層未被所述圖形結(jié)構(gòu)層覆蓋的部分；

S6.刻蝕去除所述圖形結(jié)構(gòu)層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟S1中，所述過(guò)渡層薄膜完全覆蓋所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)及其周?chē)鷧^(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟S2中，刻蝕完成后，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)的頂面通過(guò)位于所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)兩側(cè)殘留的過(guò)渡層薄膜與其周?chē)鷧^(qū)域形成平滑過(guò)渡。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述過(guò)渡層薄膜與所述刻蝕停止層為相同材質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟S2中，所述過(guò)渡層薄膜與所述刻蝕停止層為不同材質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)及其周?chē)鷧^(qū)域?qū)?yīng)的刻蝕層厚度均勻，且具有平滑過(guò)渡的形貌。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟S4中，通過(guò)光刻方法在所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的刻蝕層上制作圖形結(jié)構(gòu)層，所述圖形結(jié)構(gòu)層為光阻層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于臺(tái)階結(jié)構(gòu)的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟S5中，通過(guò)干法刻蝕去除所述刻蝕層未被所述圖形結(jié)構(gòu)層覆蓋的部分。